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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利锗硅异质结晶体管的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498017B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211165264.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权锗硅异质结晶体管的制造方法是由刘丙永;陈曦;黄景丰;杨继业设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本锗硅异质结晶体管的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种锗硅异质结晶体管的制造方法，提供衬底，衬底上形成有STI以定义出有源区，在衬底上形成第一电介质层，在第一电介质层上形成第一多晶硅层，在多晶硅层上形成第二电介质层，之后通过光刻、刻蚀去除部分第二电介质层和第一多晶硅层，以形成位于有源区上的第一叠层，形成覆盖第一叠层、第一电介质层的第三电介质层，之后刻蚀第三电介质层，用以在第一叠层的侧壁形成侧墙；在第一电介质层上形成覆盖第一叠层、侧墙的第二多晶硅层以及覆盖第二多晶硅层的第四电介质层，通过刻蚀第四电介质层至侧墙裸露。本发明的锗硅异质结晶体管的制造方法降低了氮化硅悬挂侧墙形成时对刻蚀工艺的要求，其工艺简单，生产成本低。

本发明授权锗硅异质结晶体管的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种锗硅异质结晶体管的制造方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有STI以定义出有源区，在所述衬底上形成第一电介质层，在所述第一电介质层上形成第一多晶硅层，在所述多晶硅层上形成第二电介质层，之后通过光刻、刻蚀去除部分所述第二电介质层和所述第一多晶硅层，以形成位于所述有源区上的第一叠层，形成覆盖所述第一叠层、所述第一电介质层的第三电介质层，之后刻蚀所述第三电介质层，用以在所述第一叠层的侧壁形成侧墙； 步骤二、在所述第一电介质层上形成覆盖所述第一叠层、所述侧墙的第二多晶硅层以及覆盖所述第二多晶硅层的第四电介质层，通过光刻、刻蚀去除部分所述第四电介质层至所述侧墙裸露，其中，以湿法刻蚀的方法刻蚀所述第四电介质层至所述侧墙裸露； 步骤三、刻蚀去除所述第二电介质层和所述侧墙，用以形成第一图形结构； 步骤四、在所述第一图形结构上形成第五电介质层，之后刻蚀所述第五电介质层至所述第一多晶硅层的上方； 步骤五、刻蚀去除所述第一多晶硅层，使得其下方的所述第一电介质层裸露，之后刻蚀裸露的所述第一电介质层形成倒T形的凹槽； 步骤六、在所述凹槽的底部形成外延层，之后在所述外延层上形成填充剩余所述凹槽的第三多晶硅层，用以形成第二图形结构； 步骤七、刻蚀所述第二图形结构以形成所需的器件结构。

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