仲联半导体(上海)有限公司;至讯创新科技(无锡)有限公司杨号号获国家专利权
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龙图腾网获悉仲联半导体(上海)有限公司;至讯创新科技(无锡)有限公司申请的专利半导体器件的制造方法以及存储器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116075154B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211099471.3，技术领域涉及：H10B41/00；该发明授权半导体器件的制造方法以及存储器的制造方法是由杨号号设计研发完成，并于2022-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法以及存储器的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件的制造方法以及存储器的制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成绝缘层；绝缘层上形成多个栅极结构；在相邻的栅极结构的侧壁，以及被暴露的绝缘层上形成刻蚀阻挡层；对相邻的栅极结构之间空隙处的绝缘层以及半导体衬底进行干法刻蚀，形成多个沟槽；对沟槽的表面进行湿法刻蚀，在沟槽的侧壁和底部形成氧化层；形成向下延伸至半导体衬底中的浅沟槽隔离结构；对栅极结构上的栅介质层以及栅极结构中的部分硬掩膜层进行化学机械研磨，以露出栅极结构；回蚀刻去除浅沟槽隔离结构中的部分栅介质层，以露出栅极结构的部分侧壁。该方法可以改善现有二维存储器制造过程造成的栅极结构的侧壁损伤问题。
本发明授权半导体器件的制造方法以及存储器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底上形成绝缘层； 在所述绝缘层上形成多个栅极结构； 在相邻的所述栅极结构的侧壁，以及被暴露的绝缘层上形成刻蚀阻挡层； 对相邻的栅极结构之间空隙处的绝缘层以及半导体衬底进行干法刻蚀，形成多个沟槽； 对所述沟槽的表面进行湿法刻蚀，使得所述栅极结构底部特征尺寸大于或等于有源区的顶部特征尺寸； 在所述沟槽的侧壁和底部形成氧化层； 在所述刻蚀阻挡层和所述氧化层上形成栅介质层，所述栅介质层覆盖相邻的所述栅极结构之间的空隙，以形成向下延伸至所述半导体衬底中的浅沟槽隔离结构； 对所述栅极结构上的栅介质层以及所述栅极结构中的部分硬掩膜层进行化学机械研磨，以露出所述栅极结构； 回蚀刻去除所述浅沟槽隔离结构中的部分栅介质层，以露出所述栅极结构的部分侧壁； 对漏出的所述部分侧壁进行湿法清洗。
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