浙江大学姚崇获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种碳纳米管与氧化锌混合TFT CMOS逻辑电路及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621283B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211016708.7，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权一种碳纳米管与氧化锌混合TFT CMOS逻辑电路及其制备方法是由姚崇;叶志设计研发完成，并于2022-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳纳米管与氧化锌混合TFT CMOS逻辑电路及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种碳纳米管CNT与氧化锌ZnO两种半导体材料混合的TFTCMOS逻辑电路及其制备方法；CMOS电路结构由等数量的PNMOS构成；所述的CMOS基于平面薄膜生长以及图形化技术工艺制作；所述的PMOS有源层为CNT，NMOS有源层为ZnO；所述的PMOS源漏电极为金，栅极为ITO，NMOS的三个电极均为ITO，PMOS和NMOS栅氧层均为Al2O3。本发明的TFTCMOS逻辑电路可以用于制备中小型规模的集成电路。本发明的混合材料CMOS逻辑电路成本较低，工艺简易，具有优秀的电气性能，相比传统增强型、耗尽型以及伪CMOS，具有功耗低，噪声容限大，增益高，结构简单，集成度高的优点。
本发明授权一种碳纳米管与氧化锌混合TFT CMOS逻辑电路及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳纳米管CNT与氧化锌ZnO两种半导体材料混合的TFTCMOS逻辑电路，其特征在于，所述CMOS逻辑电路的上管即PMOS为底栅结构，CMOS逻辑电路的下管即NMOS为顶栅结构；PMOS和NMOSTFT连接在CMOS逻辑电路的供电与接地之间；CMOS逻辑电路的输入连接到PMOS和NMOSTFT的栅极，其输出连接到PMOS和NMOSTFT相接的地方； 所述的NPMOSTFT包括栅、源、漏电极，以及有源层和栅氧层； 顶栅结构为源漏电极在下，栅极在上；底栅结构相反；二者通过刻蚀通孔连接； 所述NPMOSTFT的栅氧层均为氧化铝，所述NMOSTFT的三个电极均为ITO，所述PMOSTFT的栅电极为ITO，源漏电极为金；所述PMOSTFT的有源层为CNT，所述NMOSTFT的有源层为ZnO。
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