泰州隆基乐叶光伏科技有限公司张云海获国家专利权
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龙图腾网获悉泰州隆基乐叶光伏科技有限公司申请的专利一种背接触电池及其制造方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115566088B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211007485.8，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种背接触电池及其制造方法、光伏组件是由张云海;张小帅;李中兰;梁志林;鲁伟明;李华;靳玉鹏设计研发完成，并于2022-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种背接触电池及其制造方法、光伏组件在说明书摘要公布了：本发明公开一种背接触电池及其制造方法、光伏组件，涉及太阳能电池技术领域，以通过设置在第二区域表面的第一孔洞结构，提升背接触电池的光电转换效率。所述背接触电池包括：半导体基底、第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层。半导体基底具有相对的第一面和第二面。沿着平行于第二面的方向，第二面具有交替设置的第一区域和第二区域。第一区域与第二区域的表面结构不同，且第二区域的表面设置有向半导体基底内凹入的第一孔洞结构。第一掺杂半导体层形成在第一区域内或第一区域上。第二掺杂半导体层形成在第二区域内或第二区域上。第二掺杂半导体层的导电类型与第一掺杂半导体层的导电类型相反。所述背接触电池的制造方法用于制造所述背接触电池。
本发明授权一种背接触电池及其制造方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池，其特征在于，包括： 半导体基底，所述半导体基底具有相对的第一面和第二面；沿着平行于所述第二面的方向，所述第二面具有交替设置的第一区域和第二区域；所述第一区域与所述第二区域的表面结构不同，且所述第二区域的表面设置有向所述半导体基底内凹入的第一孔洞结构，所述第一区域的表面未设置有所述第一孔洞结构；所述第二面为抛光面； 第一掺杂半导体层，形成在所述第一区域上； 以及第二掺杂半导体层，形成在所述第二区域内或所述第二区域上；所述第二掺杂半导体层的导电类型与所述第一掺杂半导体层的导电类型相反； 其中，所述第一孔洞结构中分布的孔洞在第二区域表面上的位置随机设置；和或，所述第一孔洞结构中分布的孔洞的开口尺寸随机设置；和或，所述第一孔洞结构中分布的孔洞的数量随机设置； 所述背接触电池还包括位于所述第一区域上的第一隧穿层；所述第一掺杂半导体层位于所述第一隧穿层上。
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