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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360296B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210986016.9，技术领域涉及：H10N50/85；该发明授权铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料及其制备方法是由宋波;韩杰才;张晗旭;朱森寅;王先杰设计研发完成，并于2022-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料及其制备方法，涉及自旋电子学材料制备技术领域，本发明所述的制备方法首先采用真空封管工艺，在正的X蒸气压下合成CuCr2X4粉末材料，将获得的粉末材料与适量X粉末混合后低温氩气气氛烧结，制成富X的CuCr2X4靶材；进而采用激光脉冲沉积技术，以高能脉冲激光轰击富X的CuCr2X4靶材，在真空腔中产生一定的X蒸气分压，促使CuCr2X4薄膜在高温衬底上成为尖晶石相，以实现铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料的稳定制备。本发明制备的铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料结晶度高，在室温下300K具有铁磁性，饱和磁化强度为150‑250emucm3，尺寸满足自旋电子器件需求。

本发明授权铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1：将Cu粉末、Cr粉末和X粉末混合研磨并压片后，埋入所述X粉末中，经真空烧结，研磨后得到CuCr2X4多晶粉末，所述Cu粉末、所述Cr粉末和所述X粉末的摩尔比为1：2：4，所述Cu粉末、所述Cr粉末和所述X粉末压片后的质量与所述X粉末的质量比为3-10：1；将所述CuCr2X4多晶粉末与所述X粉末混合研磨并压片后，在氩气保护氛围下低温烧结，得到富X的CuCr2X4靶材，所述CuCr2X4多晶粉末与所述X粉末混合的质量比为2:1；其中，所述X为S和Se中的至少一种；所述真空烧结过程包括：初步烧结并保温后，二次烧结并保温，所述初步烧结的温度为400-500℃，所述二次烧结的温度为700-800℃；所述在氩气保护氛围下低温烧结的烧结温度为100-200℃； 步骤S2：将所述富X的CuCr2X4靶材和洁净的衬底置于激光脉冲沉积系统的真空腔室中真空处理后，加热所述衬底； 步骤S3：采用激光脉冲沉积技术轰击所述富X的CuCr2X4靶材，使所述富X的CuCr2X4靶材沉积在所述衬底上，退火并自然冷却到室温后，得到铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料。

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