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龙图腾网获悉中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司申请的专利一种化合物半导体的背面脱离工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115376989B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210975686.0，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权一种化合物半导体的背面脱离工艺是由严立巍;马晴;刘文杰;林春慧设计研发完成，并于2022-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种化合物半导体的背面脱离工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体加工技术领域，具体的是一种化合物半导体的背面脱离工艺，本发明包括S1将多个化合物半导体基板背面通过碳沉积反应永久键合在耐高温载板上，完成化合物半导体基板正面的晶圆制程；S2采用透明有机薄膜填充化合物半导体基板空隙，完成正面平坦化，然后将化合物半导体基板正面暂时键合玻璃载板；S3通过激光穿透玻璃载板与透明有机薄膜，将化合物半导体基板与耐高温载板之间以及化合物半导体基板与化合物半导体基板之间键合的碳打断；本发明通过碳沉积反应将化合物半导体基板的背面键合在耐高温基板上，然后通过激光可以将键合的碳打断，从而可以直接将化合物半导体基板与耐高温基板分离，方便快捷，提高了分离的效率。

本发明授权一种化合物半导体的背面脱离工艺在权利要求书中公布了：1.一种化合物半导体的背面脱离工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1、将多个化合物半导体基板背面通过碳沉积反应永久键合在耐高温载板上，完成化合物半导体基板正面的晶圆制程； S2、采用透明有机薄膜填充化合物半导体基板空隙，完成正面平坦化，然后将化合物半导体基板正面暂时键合玻璃载板； S3、通过激光穿透玻璃载板与透明有机薄膜，将化合物半导体基板与耐高温载板之间以及化合物半导体基板与化合物半导体基板之间键合的碳打断； S4、翻转玻璃载板，将耐高温载板取下，完成化合物半导体基板背面晶圆制程后激光解键合，移除玻璃载板，清洗去除黏着层，完成化合物半导体元件； 所述化合物半导体基板包括砷化镓基板、氮化镓基板和碳化硅基板； 所述耐高温载板为陶瓷或石墨制成； 所述透明有机薄膜为厚膜Elasticcompositetape或聚酰亚胺膜； 所述S1具体为： S1.1、所述耐高温载板的表面开设有多个吸附孔，将化合物半导体基板背面放置于带有多个吸附孔的耐高温载板上进行吸附； S1.2、采用碳沉积反应，使得化合物半导体基板的表面附有碳沉积层，将化合物半导体基板背面键合在耐高温载板上； S1.3、将化合物半导体基板的侧壁涂覆光刻胶，之后用激光蚀刻化合物半导体基板表面的碳； S1.4、完成化合物半导体基板正面的晶圆制程。

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