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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学申请的专利一种MOSFETs栅氧化层陷阱原子构型的识别方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115422712B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210914010.0，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种MOSFETs栅氧化层陷阱原子构型的识别方法是由陈华;杨济宁;何亮;张彦军;乔彬设计研发完成，并于2022-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOSFETs栅氧化层陷阱原子构型的识别方法在说明书摘要公布了：一种MOSFETs栅氧化层陷阱原子构型的识别方法，搭建MOSFETs近界面氧化层的原子级模型，并引入各类单一缺陷构型，由此形成若干包含单一缺陷构型的缺陷模型；对各缺陷模型进行电子态密度计算，定性表征由相应缺陷所引入的电子态密度峰，即电中性缺陷能级位置；利用缺陷形成能定义，拟合求解各缺陷模型在不同电荷态之间的电荷转变能级，即带电缺陷能级位置；测量MOSFETs器件的低频1f漏电流噪声功率谱，并求解MOSFETs器件栅氧化层内的陷阱分布，分析陷阱中心位置；将电中性缺陷能级位置、带电缺陷能级位置与陷阱中心位置进行对比，识别引发MOSFETs器件漏电流噪声的陷阱原子构型。

本发明授权一种MOSFETs栅氧化层陷阱原子构型的识别方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFETs栅氧化层陷阱原子构型的识别方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1：搭建MOSFETs近界面氧化层的原子级模型，并引入各类单一缺陷构型，由此形成若干包含单一缺陷构型的缺陷模型； 步骤2：对各所述缺陷模型进行电子态密度计算，定性表征由相应缺陷所引入的电子态密度峰，即电中性缺陷能级位置； 步骤3：利用缺陷形成能定义，拟合求解各所述缺陷模型在不同电荷态之间的电荷转变能级εqq'，即带电缺陷能级位置，其中，q和q'分别为转变前后缺陷构型的电荷态； 步骤4：测量MOSFETs器件的低频1f漏电流噪声功率谱SId-f，基于低频噪声的理论模型与器件物理模型，求解MOSFETs器件栅氧化层内的陷阱分布NtEt,z，分析陷阱中心位置； 步骤5：将所述电中性缺陷能级位置、所述带电缺陷能级位置与所述陷阱中心位置进行对比，识别引发MOSFETs器件漏电流噪声的陷阱原子构型； 其中，所述步骤4，包括： 步骤4.1，对待测MOSFETs器件的转移特性和不同栅压下的漏极电流噪声功率谱SId-f进行测量，由转移特性计算跨导曲线gm-Vgs； 步骤4.2，在特定栅压Vgs1下，即在特定陷阱能级处，数值求解离散形式的低频噪声分析模型和器件物理模型，得到器件氧化层内陷阱密度随厚度位置的变化关系 步骤4.3，计算在特定栅压Vgs1下的陷阱能级的位置； 步骤4.4，改变多组栅压Vgs，计算多个陷阱能级处的陷阱密度随厚度位置的变化关系进一步总结为陷阱密度随陷阱能量Et与厚度位置z的联合分布NtEt,z，分析其中造成MOSFETs器件漏电流噪声的陷阱中心位置。

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