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龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利用于高压集成电路的低EMI时钟产生电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115085695B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210908108.5，技术领域涉及：H03K3/013；该发明授权用于高压集成电路的低EMI时钟产生电路是由陈珍海;何晓雄设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于高压集成电路的低EMI时钟产生电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于高压集成电路的低EMI时钟产生电路，包括伪随机调制电源产生电路和时钟产生及耦合输出电路。本发明提供的低EMI时钟产生电路方案中，一方面时钟产生电路采用的振荡器电源电压VCC_OSC只受基准信号控制，不受PVT波动影响，保证了参考时钟信号OSC_out的频率稳定性；另一方面，在伪随机调制电源产生电路内部采用幅度和时间上均具有伪随机特性的伪随机码对振荡器电源电压进行调制，从而使得参考时钟信号OSC_out的频率具有随机抖频特性，从而实现降低EMI干扰的目标。本发明实施方案可广泛应用于各类高压集成电路系统中。

本发明授权用于高压集成电路的低EMI时钟产生电路在权利要求书中公布了：1.用于高压集成电路的低EMI时钟产生电路，其特征是，包括抖频相对幅度控制电路（10）、抖频参考电压产生电路（11）、误差放大及缓冲电路（12）和时钟产生及耦合输出电路（13），所述抖频相对幅度控制电路（10）的输入端连接外部输入的抖频幅度控制信号Set和抖频参考电压产生电路（11）反馈的抖频控制时钟ck_dith，输出抖频相对幅度选择信号Sel给抖频参考电压产生电路（11）；抖频参考电压产生电路（11）根据抖频相对幅度控制电路（10）产生的抖频相对幅度选择信号Sel，得到抖频参考电压Vrdith，输出给误差放大及缓冲电路（12）；误差放大及缓冲电路（12）的输入端连接抖频参考电压Vrdith和时钟产生及耦合输出电路（13）输出的反馈时钟CK_fb，产生振荡器电源电压VCC_OSC输出给时钟产生及耦合输出电路（13）；时钟产生及耦合输出电路（13）根据振荡器电源电压VCC_OSC产生X路输出时钟CK1~CKX和反馈时钟CK_fb； 所述抖频参考电压产生电路（11）包括：依次串联的Y+N个分压电阻串、Y+N个NMOS管、编码转换电路（31）和伪随机码产生电路（32），Y=2J，J为任意正整数；N=2K，K为任意正整数；前Y个电阻串联组成抖频相对幅度调整电阻串，后N个电阻串联组成抖频绝对幅度调整电阻串；前Y个电阻的上端连接到参考电压Vref；前Y个电阻和后N个电阻的连接点产生抖频参考电压Vrdith；后N个电阻的下端连接地电压GND；Y个NMOS管M311~M31Y的漏极和源极分别对应连接前Y个电阻的上端和下端，N个NMOS管M331~M33N的漏极和源极分别对应连接后N个电阻的上端和下端；编码转换电路（31）的输入端连接到抖频相对幅度选择信号Sel，编码转换电路（31）的输出端分别为Y位选择码S1~SY，分别连接到Y个NMOS管M311~M31Y的栅极；伪随机码产生电路（32）的输出端分别为N位伪随机码P1~PN以及抖频控制时钟ck_dith，N位伪随机码P1~PN分别连接到N个NMOS管M331~M33N的栅极； 所述抖频参考电压产生电路（11）中产生的抖频参考电压Vrdith由所述抖频相对幅度调整电阻串的总电阻Rs31和所述抖频绝对幅度调整电阻串的总电阻Rs33分压得到；所述抖频参考电压Vrdith一方面具有伪随机特性，另一方面其相对参考电压的相对幅度还受抖频相对幅度选择信号Sel控制；所述抖频绝对幅度调整电阻串中任意两个电阻的阻值均不相同，且N个电阻中任意两个电阻之间的比值均不相同，实现抖频参考电压Vrdith幅度的随机特性；所述伪随机码产生电路（32）产生的N位伪随机码P1~PN，任意时刻只有1位伪随机码输出高电平，其余N-1位均为低电平；并且N位伪随机码P1~PN中任意1位伪随机码输出高电平的时间长度均不相同，实现抖频参考电压Vrdith时间上的随机特性。

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