山东大学;山东大学深圳研究院刘超获国家专利权
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龙图腾网获悉山东大学;山东大学深圳研究院申请的专利基于异质外延衬底的完全垂直型GaN功率二极管及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394833B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210881921.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权基于异质外延衬底的完全垂直型GaN功率二极管及方法是由刘超;邵泓杰;陈思豪设计研发完成，并于2022-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于异质外延衬底的完全垂直型GaN功率二极管及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低成本、高性能的基于异质外延衬底的完全垂直型GaN功率二极管的器件结构及其制备方法，属于半导体器件技术领域。所述完全垂直型GaN功率二极管基于异质外延衬底，结合异质外延、衬底剥离，以及键合工艺，实现基于大尺寸、低成本的完全垂直型GaN功率二极管，大幅降低完全垂直型GaN功率二极管的制造成本。与传统垂直型GaN功率二极管制备工艺不同，本专利提出在低电场的阴极一侧刻蚀凹槽实现器件隔离，可有效避免传统垂直型GaN功率二极管阳极附近凹槽处的电场聚集问题，避免器件提前击穿，从而实现高性能的完全垂直型GaN功率二极管器件。
本发明授权基于异质外延衬底的完全垂直型GaN功率二极管及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于异质外延衬底的完全垂直型GaN功率二极管的器件结构，其特征在于，所述完全垂直型GaN功率二极管基于异质外延衬底，在完全垂直型GaN功率二极管的低电场的阴极侧刻蚀有凹槽，该凹槽为采用ICP干法刻蚀工艺刻蚀掉阴极电极及重掺杂n型氮化物层，暴露出轻掺杂n型氮化物漂移层而得到； 完全垂直型GaN功率二极管为PiN二极管或肖特基二极管； 所述PiN二极管由下至上依次包括阴极电极、重掺杂n型氮化物层、轻掺杂n型氮化物漂移层、重掺杂p型氮化物层、阳极电极和低阻Si支撑层； 所述肖特基二极管由下至上依次包括阴极电极、重掺杂n型氮化物层、轻掺杂n型氮化物漂移层、阳极肖特基接触电极和低阻Si支撑层。
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