中国科学院理化技术研究所张春晖获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院理化技术研究所申请的专利一种促进气泡转移和气体扩散的析气电极及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115354355B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210798965.4，技术领域涉及：C25B11/032；该发明授权一种促进气泡转移和气体扩散的析气电极及其制备方法和应用是由张春晖;江雷设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种促进气泡转移和气体扩散的析气电极及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种促进气泡转移和气体扩散的析气电极及其制备方法和应用，所述析气电极包括导电基底；设置在导电基底表面的超疏水涂层；所述超疏水涂层表面具有贯穿所述超疏水涂层的孔洞的阵列；所述孔洞用于发生电催化析气反应并产生气泡。其中，本发明提供的析气电极能有效促进气泡快速转移和溶解气体分子的快速扩散，进而实现高效率的电极反应。以电化学析氢反应为例，本发明的析气电极可将气泡的转移时间控制在5ms内。
本发明授权一种促进气泡转移和气体扩散的析气电极及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种促进气泡转移和气体扩散的析气电极，其特征在于，包括导电基底（1）；设置在导电基底表面的超疏水涂层（2）；所述超疏水涂层表面具有贯穿所述超疏水涂层的孔洞的阵列（3）；所述孔洞用于发生电催化析气反应并产生气泡； 所述孔洞的直径为50微米-1000微米，相邻孔洞的间距为500微米-2000微米； 所述超疏水涂层对水滴的接触角为150°-180°，对气泡的接触角为0°-10°； 所述孔洞的内表面至少部分对水滴的接触角为0°-65°，对气泡的接触角为90°-180°； 所述析气电极按照如下步骤制备得到： （1）将导电基底进行超疏水修饰，获得表面有超疏水涂层的导电基底； （2）刻蚀掉部分超疏水涂层，使超疏水涂层表面具有贯穿所述超疏水涂层的孔洞的阵列。
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