长江存储科技有限责任公司陈赫获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223866B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210786119.0，技术领域涉及：H01L21/324；该发明授权半导体器件及其形成方法是由陈赫;华子群设计研发完成，并于2022-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括：提供衬底；向所述衬底的第一深度区间内注入第一掺杂离子，形成第一掺杂层；高温激活所述第一掺杂层，形成漏极层；向所述衬底的第二深度区间内注入第二掺杂离子，形成第二掺杂层；所述第二深度区间与所述第一深度区间不重叠；高温激活所述第二掺杂层，形成源极层；刻蚀所述源极层、所述漏极层以及所述源极层和所述漏极层之间的衬底，形成沟道柱阵列；所述沟道柱阵列包括多个晶体管沟道柱；所述晶体管沟道柱的两端分别包括源极和漏极；在所述沟道柱阵列的多个沟道柱的源极上形成互不连接的多个存储电容。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底；所述衬底具有第一表面和第二表面； 向所述衬底的第一深度区间内注入第一掺杂离子，形成第一掺杂层； 高温激活所述第一掺杂层，形成漏极层； 向所述衬底的第二深度区间内注入第二掺杂离子，形成第二掺杂层；所述第二深度区间与所述第一深度区间不重叠； 高温激活所述第二掺杂层，形成源极层； 刻蚀所述源极层、所述漏极层以及所述源极层和所述漏极层之间的衬底，形成沟道柱阵列；所述沟道柱阵列包括多个晶体管沟道柱；所述晶体管沟道柱的两端分别包括源极和漏极； 在所述沟道柱阵列的多个沟道柱的源极上形成互不连接的多个存储电容。
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