华邦电子股份有限公司中谷真史获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利温度补偿电路及使用其的半导体集成电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115808950B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210767750.6,技术领域涉及:G05F1/567;该发明授权温度补偿电路及使用其的半导体集成电路是由中谷真史;平贺公久设计研发完成,并于2022-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本温度补偿电路及使用其的半导体集成电路在说明书摘要公布了:本发明提供一种生成经温度补偿的电流的温度补偿电路及使用其的半导体集成电路。本发明的温度补偿电路包含:第一PTAT电流源,具有第一发射极面积比,生成第一电流,所述第一电流具有与绝对温度成比例的第一温度系数;第二PTAT电流源,具有第二发射极面积比,生成第二电流,所述第二电流具有与绝对温度成比例的第二温度系数;调整电路,调整由第一PTAT电流源生成的电流;以及差分电路,输出由调整电路调整后的电流与由第二PTAT电流源生成的电流的差分。
本发明授权温度补偿电路及使用其的半导体集成电路在权利要求书中公布了:1.一种温度补偿电路,包含: 第一电路,使用第一发射极面积的晶体管或者与所述第一发射极面积比等价的个数比的二极管来生成第一电流,所述第一电流具有与绝对温度成比例的第一温度系数; 第二电路,使用第二发射极面积的晶体管或者与所述第二发射极面积比等价的个数比的二极管来生成第二电流,所述第二电流具有与绝对温度成比例的第二温度系数,其中所述第一电路的第一发射极面积比不同于所述第二电路的第二发射极面积比,所述第一电流与所述第一发射极面积比成比例,所述第二电流与所述第二发射极面积比成比例;以及 差分电路,输出所述第一电流与所述第二电流的差分电流,其中所述差分电路包含: 第一晶体管,包含第一端、第二端及控制端,其中所述第一晶体管的所述第一端耦合到第一供给电压,且所述第一晶体管的所述控制端耦合到所述第二电路; 第二晶体管,包含第一端、第二端及控制端,其中所述第二晶体管的所述第一端耦合到所述第一电路,所述第二晶体管的所述第二端耦合到第二供给电压,且所述第二晶体管的所述控制端耦合到所述第二晶体管的所述第一端,其中所述第一供给电压大于所述第二供给电压;以及 第三晶体管,包含第一端、第二端及控制端,其中所述第三晶体管的所述第一端耦合到所述第一晶体管的所述第二端,所述第三晶体管的所述第二端耦合到所述第二供给电压,且所述第三晶体管的所述控制端耦合到所述第二晶体管的所述控制端,其中所述差分电流从所述第三晶体管的所述第一端输出。
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