华进半导体封装先导技术研发中心有限公司杨成林获国家专利权
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龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请的专利一种FCBGA基板中的焊盘阻抗优化结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132686B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210742901.2，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权一种FCBGA基板中的焊盘阻抗优化结构及其制造方法是由杨成林;周云燕;宋阳;宋刚;曹立强设计研发完成，并于2022-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种FCBGA基板中的焊盘阻抗优化结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种FCBGA基板中的焊盘阻抗优化结构，包括：位于BGA焊盘正上方或正下方的一层或多层空洞，其中空洞为一层或多层金属布线层中正对BGA焊盘处的不含金属的空白区域；以及从金属布线层中延伸至空洞的多个金属条。
本发明授权一种FCBGA基板中的焊盘阻抗优化结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种FCBGA基板中的焊盘阻抗优化结构的制造方法，包括： 将第二金属板、ABF薄复合材料、第一基板、ABF薄复合材料、第二金属板自上而下依次层叠，进行压合； 去除第二金属板； 制作贯穿ABF薄复合材料的盲孔，并在盲孔中填充金属形成第二导电通孔，同时在ABF薄复合材料的表面形成第一金属层；以及 刻蚀第一金属层形成第二金属布线层，同时在正对焊盘的区域形成焊盘阻抗优化结构，其中焊盘阻抗优化结构为带有金属条的空洞。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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