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龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请的专利一种堆叠扇出封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975388B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210614785.6，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权一种堆叠扇出封装结构及其形成方法是由徐成;孙鹏;曹立强设计研发完成，并于2022-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种堆叠扇出封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种堆叠扇出封装结构，包括：下封装结构，其包括：第一互连结构，第一互连结构包括多个第一绝缘层和位于多个第一绝缘层中的多个第一金属重布线层；第一凸点下金属化层，其位于第一互连结构正面的第一金属重布线层上；第二凸点下金属化层，其位于第一互连结构的正面的第一金属重布线层上。第一芯片，其布置在第一凸点下金属化层上；底填胶，其布置在第一芯片与第一互连结构之间；散热片，其贴装在第一芯片的背面；第一焊球，其布置在第二凸点下金属化层上；第一塑封层，其将第一互连结构的正面至散热片的上表面之间塑封；第二焊球，其布置在第一互连结构背面；上封装结构，其倒装在下封装结构上；以及第三塑封层。

本发明授权一种堆叠扇出封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种堆叠扇出封装结构，包括： 下封装结构，其包括： 第一互连结构，所述第一互连结构包括多个第一绝缘层和位于多个第一绝缘层中的多个第一金属重布线层； 第一凸点下金属化层，其位于所述第一互连结构的正面的第一金属重布线层上； 第二凸点下金属化层，其位于所述第一互连结构的正面的第一金属重布线层上； 第一芯片，其布置在所述第一凸点下金属化层上； 底填胶，其布置在所述第一芯片与所述第一互连结构之间； 散热片，其贴装在所述第一芯片的背面； 第一焊球，其布置在第二凸点下金属化层上； 第一塑封层，其将所述第一互连结构的正面至所述散热片的上表面之间塑封； 第二焊球，其布置在所述第一互连结构的背面； 上封装结构，其倒装在所述下封装结构上，所述上封装结构包括： 第二互连结构，其具有第一面和与第一面相对的第二面，所述第二互连结构包括多个第二绝缘层和位于多个第二绝缘层中的多个第二金属重布线层； 第二芯片，其布置在位于所述第二互连结构的第二面的第二金属重布线层上； 第三凸点下金属化层，其与位于所述第二互连结构的第一面的第二金属重布线层电连接，并与所述散热片以及所述第一焊球焊接； 第二塑封层，其将所述第二芯片塑封； 第三塑封层，其将所述第二互连结构的第一面至与所述第一塑封层之间塑封。

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