中国电子科技集团公司第十三研究所王元刚获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利一种正磨角氧化镓肖特基二极管器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115083922B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210612243.5，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种正磨角氧化镓肖特基二极管器件及其制备方法是由王元刚;吕元杰;敦少博;韩婷婷;刘宏宇;冯志红设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种正磨角氧化镓肖特基二极管器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种正磨角氧化镓肖特基二极管器件及其制备方法，该制备方法包括：在氧化镓外延层上制备预设图案的光刻胶层，部分氧化镓外延层未被光刻胶层覆盖；氧化镓外延层形成于氧化镓衬底的上表面；在氧化镓外延层和光刻胶层上制备预设形状的第一电极层；以水平面为基准，将氧化镓衬底分别向两个相反的方向旋转第一倾斜角度和第二倾斜角度，对位于预设形状的阳极金属层覆盖的氧化镓外延层进行刻蚀，第一倾斜角度和第二倾斜角度均小于90°；在所述氧化镓衬底下表面形成第二电极层。本申请能够较容易氧化镓肖特基正磨角终端结构，有效提升二极管器件耐压性。
本发明授权一种正磨角氧化镓肖特基二极管器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种正磨角氧化镓肖特基二极管器件的制备方法，其特征在于，包括： 在氧化镓外延层上制备预设图案的光刻胶层，部分所述氧化镓外延层未被所述光刻胶层覆盖；所述氧化镓外延层形成于氧化镓衬底的上表面； 在所述氧化镓外延层和所述光刻胶层上制备预设形状的第一电极层； 以水平面为基准，将所述氧化镓衬底分别向两个相反的方向旋转第一倾斜角度和第二倾斜角度，对位于所述预设形状的第一电极层覆盖的氧化镓外延层进行刻蚀，在所述氧化镓外延层上部形成有凸台结构，所述凸台结构的宽度从所述氧化镓外延层到所述氧化镓衬底方向逐渐减小；所述第一倾斜角度和所述第二倾斜角度均小于90°； 在所述氧化镓衬底下表面形成第二电极层。
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