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龙图腾网获悉旗滨新能源发展(深圳)有限责任公司申请的专利一种钙钛矿太阳能电池及其加工方法和BIPV组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114927621B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210611646.8，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种钙钛矿太阳能电池及其加工方法和BIPV组件是由李要辉;张伟;程蕾设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种钙钛矿太阳能电池及其加工方法和BIPV组件在说明书摘要公布了：本发明公开一种钙钛矿太阳能电池及其加工方法和BIPV组件，其中，该钙钛矿太阳能电池的加工方法，包括以下步骤：提供第一钙钛矿太阳能电池芯片；采用非接触式切割或机械切割对第一钙钛矿太阳能电池芯片进行裁切得到第二钙钛矿太阳能电池芯片；且至少在采用机械切割进行裁切后对第二钙钛矿太阳能电池芯片进行磨边，在磨边步骤中通过液态气体降温或通过水冷降温；其中，至少在水冷降温步骤中，第二钙钛矿太阳能电池芯片上覆盖防水保护膜。加工后的电池芯片不会出现钙钛矿膜层的水解反应导致产品电性能与稳定性下降问题，使用该加工方法可加工各种尺寸形状的钙钛矿太阳能电池用以制造BIPV组件，满足建筑幕墙、屋顶等各种场景应用需求。

本发明授权一种钙钛矿太阳能电池及其加工方法和BIPV组件在权利要求书中公布了：1.一种钙钛矿太阳能电池的加工方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供第一钙钛矿太阳能电池芯片；所述第一钙钛矿太阳能电池芯片为标准钙钛矿太阳能电池；所述第一钙钛矿太阳能电池芯片具有玻璃基层和位于玻璃基层表面上的若干层镀膜层，且位于玻璃基层表面上的第一层所述镀膜层为TCO膜层； 刻划绝缘线：在所述第一钙钛矿太阳能电池芯片上采用激光刻划所述绝缘线；所述绝缘线至少除去所述TCO膜层以外的所有镀膜层； 扫边：沿所述绝缘线对所述第一钙钛矿太阳能电池芯片进行扫边，即去除玻璃基层上的所有所述镀膜层，得到扫边部； 裁切：裁切步骤沿所述扫边部进行；采用机械切割对所述第一钙钛矿太阳能电池芯片进行裁切得到第二钙钛矿太阳能电池芯片；在采用所述机械切割进行裁切后对所述第二钙钛矿太阳能电池芯片进行磨边，在磨边步骤中通过液态气体降温；所述液态气体选自液氮、液氧、液态氩气、液态空气、液态二氧化碳或液态氦气中的至少一种。

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