环球晶圆股份有限公司林子尧获国家专利权
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龙图腾网获悉环球晶圆股份有限公司申请的专利半导体外延结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072523B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210597413.7，技术领域涉及：H01L21/18；该发明授权半导体外延结构是由林子尧;刘嘉哲;施英汝设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体外延结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体外延结构，包括碳化硅基板、成核层、氮化镓缓冲层与堆叠结构。成核层形成于所述碳化硅基板上，氮化镓缓冲层设置于所述成核层上，堆叠结构则形成于所述成核层与所述氮化镓缓冲层之间。所述堆叠结构包括：交替堆叠的多层氮化硅SiNx层与多层氮化铝镓AlxGa1‑xN层，其中所述多层氮化硅层中的第一层与所述成核层直接接触。
本发明授权半导体外延结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体外延结构，其特征在于，包括： 碳化硅基板，所述碳化硅基板的基平面位错密度在3000cm-2～6000cm-2之间； 成核层，形成于所述碳化硅基板上； 氮化镓缓冲层，设置于所述成核层上；以及 堆叠结构，形成于所述成核层与所述氮化镓缓冲层之间，所述堆叠结构包括： 多层氮化硅层，其中所述多层氮化硅层中的第一层与所述成核层直接接触；以及 多层氮化铝镓层，与所述多层氮化硅层交替堆叠。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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