苏州大学张昕蔚获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利二维有机半导体单晶薄膜、有机场效应晶体管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000303B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210555197.X，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权二维有机半导体单晶薄膜、有机场效应晶体管的制备方法是由张昕蔚;揭建胜;邓巍;雷贺蒙;张晓宏设计研发完成，并于2022-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本二维有机半导体单晶薄膜、有机场效应晶体管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了二维有机半导体单晶薄膜、有机场效应晶体管的制备方法。该制备方法包括：在n型SiO2Si基底上制备形成绝缘层，以得到基材；将基材放置在刮涂机的基板上，且使得基材与位于基板上方的刮刀之间的间距为预设间距；向基材和刮刀之间的间隙施加预设混合溶液，预设混合溶液为预设溶液与聚乙二醇辛基苯基醚的混合溶液，预设溶液为C8‑BTBT溶解在预设有机溶剂中的溶液；控制刮刀以预设速度运动，以使间隙附近形成的弯液面在刮刀的引导下快速结晶，从而形成二维C8‑BTBT有机半导体单晶薄膜。制备获得的二维C8‑BTBT有机半导体单晶薄膜晶界和缺陷少，迁移率较高，足够实现很多应用，如有源矩阵、有机发光二极管、传感器和放大电路等的应用。
本发明授权二维有机半导体单晶薄膜、有机场效应晶体管的制备方法在权利要求书中公布了：1.二维有机半导体单晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 在n型SiO2Si基底上制备形成绝缘层，以得到基材； 将所述基材放置在刮涂机的基板上，且使得所述基材与位于所述基板上方的刮刀之间的间距为预设间距； 向所述基材和所述刮刀之间的间隙施加预设混合溶液，所述预设混合溶液为预设溶液与聚乙二醇辛基苯基醚的混合溶液，所述预设溶液为C8-BTBT溶解在预设有机溶剂中的溶液； 控制所述刮刀以预设速度运动，以使所述间隙附近形成的弯液面在所述刮刀的引导下快速结晶，从而形成二维C8-BTBT有机半导体单晶薄膜。
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