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龙图腾网获悉无锡昌德微电子股份有限公司申请的专利一种抗冲击性强的硅芯片结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883276B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210542380.6，技术领域涉及：H01L23/32；该发明授权一种抗冲击性强的硅芯片结构是由黄昌民;张志奇;何飞;黄国荣设计研发完成，并于2022-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗冲击性强的硅芯片结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗冲击性强的硅芯片结构，涉及硅芯片技术领域。本发明包括搭载护壳结构、多段抗冲击保护结构和硅芯片主体，搭载护壳结构的内侧通过螺钉固定连接有硅芯片主体，搭载护壳结构的顶端固定连接有多段抗冲击保护结构，搭载护壳结构包括搭载保护底壳、预留卸力搭载孔、通槽和配装阶。本发明通过搭载护壳结构和多段抗冲击保护结构的配合设计，使得装置便于对硅芯片主体进行配装固定后，形成抗冲击的保护，大大提高了应用的稳定性，且通过第一抗冲击凸梁、第二抗冲击凸梁和卸力抗冲击保护支架模块的配合设计，使得装置便于形成对硅芯片主体多段不同的抗冲击保护效果，避免了冲击压力对硅芯片主体造成冲击伤害。

本发明授权一种抗冲击性强的硅芯片结构在权利要求书中公布了：1.一种抗冲击性强的硅芯片结构，其特征在于：包括搭载护壳结构（1）、多段抗冲击保护结构（2）和硅芯片主体（3），所述搭载护壳结构（1）的内侧通过螺钉固定连接有硅芯片主体（3），所述搭载护壳结构（1）的顶端固定连接有多段抗冲击保护结构（2）； 所述搭载护壳结构（1）包括搭载保护底壳（4）、预留卸力搭载孔（5）、通槽（6）和配装阶（7），所述搭载保护底壳（4）四端的内侧开设有预留卸力搭载孔（5），所述搭载保护底壳（4）的内侧设置有配装阶（7），所述配装阶（7）的内侧开设有通槽（6），所述配装阶（7）与多段抗冲击保护结构（2）卡接，所述多段抗冲击保护结构（2）的底端通过通槽（6）与电路板连接； 所述多段抗冲击保护结构（2）包括卸力抗冲击保护支架模块（8）、接触防护顶盖（9）、散热槽（10）、第一抗冲击凸梁（11）和第二抗冲击凸梁（12），所述预留卸力搭载孔（5）的内侧固定连接有卸力抗冲击保护支架模块（8），所述卸力抗冲击保护支架模块（8）的顶端固定连接有接触防护顶盖（9），所述接触防护顶盖（9）的内侧开设有多个散热槽（10），所述接触防护顶盖（9）的顶端固定连接有第一抗冲击凸梁（11）和第二抗冲击凸梁（12），所述第一抗冲击凸梁（11）与第二抗冲击凸梁（12）交叉固定，所述散热槽（10）用于形成气流流通，用于保护多段抗冲击保护结构（2）的同时形成换气冷却。

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