西安电子科技大学耿龙飞获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于六方氮化硼的氮化镓外延层生长与剥离方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132569B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210537031.5，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种基于六方氮化硼的氮化镓外延层生长与剥离方法是由耿龙飞;王浩林;张紫璇;刘政;岳文凯;杨波;李培咸设计研发完成，并于2022-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于六方氮化硼的氮化镓外延层生长与剥离方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种基于六方氮化硼的氮化镓外延层生长与剥离方法，利用有机溶剂较强的表面张力，借助超声条件破坏六方氮化硼层与层之间的范德华力，再采用胶带机械剥离而达到剥离氮化镓的目的。相较于现有技术采用激光剥离、化学剥离和磨削衬底等方式，本发明不需要特别的实验设备和化学处理，简单易行，成本低，耗时短，减少剥离过程对外延层薄膜的损伤，且衬底可以多次循环利用。本发明可以应用于半导体器件剥离转移，能够解除衬底限制，进一步提高器件的性能和可靠性；并且在外延氮化镓之前，通过高温热退火过程提高氮化铝层的结晶质量，后续可以获得高质量的氮化镓薄膜。
本发明授权一种基于六方氮化硼的氮化镓外延层生长与剥离方法在权利要求书中公布了：1.一种基于六方氮化硼的氮化镓外延层生长与剥离方法，其特征在于，包括： 步骤1：获取铜箔； 步骤2：对铜箔进行清洗和热处理； 步骤3：在热处理之后的铜箔生长六方氮化硼； 步骤4：将生长的六方氮化硼转移至获得的衬底上； 步骤5：在转移至衬底的六方氮化硼之上，磁控溅射氮化铝层； 步骤6：对溅射完氮化铝层所形成的结构进行高温热退火处理； 步骤7：在高温热退火处理后的氮化铝层之上使用MOCVD外延生长氮化镓层； 步骤8：利用有机溶液辅助机械剥离氮化镓层；所述步骤8包括： 步骤81：将生长完氮化镓层所形成的四层结构浸泡在有机溶液中，在超声仪中超声处理1-12h，取出后用乙醇和去离子水冲洗干净； 步骤82：将胶带缓慢地粘在氮化镓层表面，均匀按压后，将粘住氮化镓层的胶带缓慢地剥离； 步骤83：将胶带紧紧贴于目标衬底上，进行一些处理过程使得胶带与氮化镓层分开； 步骤84：将胶带移除后，完成氮化镓剥离与转移过程。
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