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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利银基硫族金属绝缘体相变柔性半导体热敏传器与应用技术获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115096935B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210530390.8，技术领域涉及：G01N25/20；该发明授权银基硫族金属绝缘体相变柔性半导体热敏传器与应用技术是由陈吉堃;于谊平;张秀兰设计研发完成，并于2022-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本银基硫族金属绝缘体相变柔性半导体热敏传器与应用技术在说明书摘要公布了：本发明属于微区热扰动、红外信号、电磁信号等能量微扰动探测等领域，具体地涉及一种银基硫族金属绝缘体相变柔性半导体热敏传器与应用技术。本发明使用银基硫族化合物作为温度敏感材料，通过材料组分设计其热敏电阻系数、塞贝克系数、金属绝缘体相变特性，并通过精密机加工将其制作成柔性自支撑膜、丝低维材料用以进一步制作成分立式器件或阵列式器件。综合银基硫族化合负阻温系数热敏电阻特性、金属绝缘体相变、塞贝克系数，实现温度传感、热开关、高精度热扰动探测应用。本发明所提供技术方法在温度智能传感、红外探测、热扰动探测、热开关、浪涌电流抑制方面具有可观的应用价值，并可实现器件的柔性化。

本发明授权银基硫族金属绝缘体相变柔性半导体热敏传器与应用技术在权利要求书中公布了：1.一种银基硫族金属绝缘体相变柔性半导体热敏传感器，涉及半导体热敏热电复合传感器的敏感电阻材料与器件，其特征在于，综合银基硫族化合物在室温附近的高热敏电阻系数、高塞贝克系数、良好延展性三方面优势，以银基硫族化合物作为温度、热扰动敏感材料；首先，银基硫族金属绝缘体相变半导体利用银基硫族化合物作为温度敏感材料，结合探测需求对银基硫族化合物的材料组分进行设计，从而调控其室温附近热敏电阻系数、塞贝克系数、金属绝缘体相变特性，以及材料延展性；其次，通过精密机加工方法将所制备银基硫族化合物加工成具有柔性自支撑结构的膜、丝低维材料；最后，将所制备具有柔性结构和自支撑结构的银基硫族化合物敏感材料膜或丝制备成阵列式器件结构器件；所制备器件可综合银基硫族化合物绝缘体相的负阻温系数热敏电阻特性和特征温度触发下的金属绝缘体相变特性实现温度传感与热开关两种功能特性的协同应用；此外，综合银基硫族化合物在室温附近较高的塞贝克系数与热敏电阻系数，可协同基于热敏电阻效应的有源探测与基于塞贝克效应的无源探测两种方法，进一步降低对热扰动信号的探测噪声； 所述银基硫族金属绝缘体相变半导体在特征温度触发下具有可逆的金属绝缘体相转变特性，其功能特性表现为材料电阻率在特征温度以下其电输运特性呈现负阻温系数热敏电阻特性，所实现的负阻温热敏电阻系数与传统NTC热敏电阻相当；当温度升高至金属绝缘体相变温度后，材料电阻率发生可逆突变并降低超过一个数量级；相变过程中，银基硫族化合物的晶体结构从特征温度以下的锯齿形褶皱层状单斜结构可逆转变为体心立方结构；通过对银原子位的正一价元素取代或硫原子位的其它第六主族元素取代，可以实现对相变温度在260-460K温区范围的调控，并在室温附近温度区间同时实现高塞贝克系数和高热敏电阻系数； 所述银基硫族金属绝缘体相变半导体为以Ag2S为母相的合金化合物，其中银原子位可由正一价元素部分取代，而硫原子位可由其它第六主族元素部分取代；其化学式为Ag2- xMxS1-yCy，其中M为一价元素，C为除硫元素以外的第六主族元素；所述银基硫族金属绝缘体相变半导体具有良好的延展性，能够在室温下通过锻造、挤压、拉拔方法实现材料的加工； 所述M为Cu、Sn，x取值0.01-0.5；所述C为Se、Te，y取值0.01-0.5。

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