浙江大学赵毅获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利导通电流可编程的二极管器件及其阵列制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115275000B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210495945.X，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权导通电流可编程的二极管器件及其阵列制备方法是由赵毅;丁响设计研发完成，并于2022-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本导通电流可编程的二极管器件及其阵列制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种导通电流可编程的二极管器件，包括金属结构、阻变结构和半导体结构。本发明具有超高的自整流比和稳定的单极型阻变特性。半导体的态密度函数需包含至少一个峰，其位置在禁带附近，在其界面处能够形成肖特基势垒，使器件表现二极管特性，从而有效抑制阵列中旁路漏电流干扰。阻变结构具有单向阻变能力，能够在电流导通方向进行擦写操作，一方面避免了无法通过反向电压进行擦写操作的问题，另一方面避免了对势垒施加反向电压，提高了自整流效应的可靠性。本发明基于上述结构提出了两种可直接在半导体上制备阵列的方法和一种3D阵列集成的制备方法，且无需外加选通管。本发明具有集成度高、抗干扰能力强、CMOS兼容性高等优点。
本发明授权导通电流可编程的二极管器件及其阵列制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二极管器件构成的3D存储器阵列的制备方法，其特征在于，所述二极管器件包括金属结构、阻变结构和半导体结构；所述阻变结构的电阻能够调节，实现导通电流可编程；所述半导体结构由半导体组成，半导体的态密度函数包含至少一个峰，使得峰能级附近的态密度远大于所述半导体结构除峰之外的能级的态密度；所述金属结构、所述阻变结构和所述半导体结构依次直接相连；所述半导体结构采用Ge，该方法包括以下步骤： S1：在半导体硅衬底上生长Ge的应力缓冲层，再依次循环生长SiGe、重掺杂Ge，最顶层为SiGe；重掺杂Ge作为位线；循环次数大于等于2次； S2：在S1得到的结构上选择性刻蚀SiGe，并填充隔离层； S3：在S2得到的结构上选择性刻蚀重掺杂Ge，填充轻掺杂Ge； S4：在S3得到的结构上生长阻变结构和保护层； S5：在S4得到的结构上的器件区选择性刻蚀保护层，并生长金属结构，形成字线；在每条位线的同一端生长金属，形成位线的引出电极。
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