中国电子科技集团公司第十三研究所王元刚获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利一种氧化镓二极管器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114743875B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210470510.X，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种氧化镓二极管器件及其制备方法是由王元刚;吕元杰;敦少博;卜爱民;韩婷婷;刘宏宇;冯志红设计研发完成，并于2022-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化镓二极管器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种氧化镓二极管器件及其制备方法，该制备方法包括：在氧化镓外延层上制备预设图案的介质掩膜层；以水平面为基准，将氧化镓衬底分别向两个相反的方向旋转第一倾斜角度和第二倾斜角度，对位于介质掩膜层覆盖的的氧化镓外延层进行刻蚀，第一倾斜角度和第二倾斜角度均小于90°；在氧化镓外延层和介质掩膜层上制备预设形状的聚酰亚胺层；去除介质掩膜层，在氧化镓外延层上与介质掩膜层对应的区域，以及在所述聚酰亚胺层上靠近所述介质掩膜层的区域上表面形成NiO层；在NiO层上形成第一电极层；在氧化镓衬底下表面形成第二电极层。本申请能够较容易实现氧化镓正磨角终端结构，提升器件耐压性。
本发明授权一种氧化镓二极管器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓二极管器件的制备方法，其特征在于，包括： 在所述氧化镓外延层上制备预设图案的介质掩膜层，部分所述氧化镓外延层未被所述介质掩膜层覆盖；所述氧化镓外延层形成于氧化镓衬底的上表面； 以水平面为基准，将所述氧化镓衬底分别向两个相反的方向旋转第一倾斜角度和第二倾斜角度，对位于所述介质掩膜层覆盖的的氧化镓外延层进行刻蚀，所述第一倾斜角度和所述第二倾斜角度均小于90°； 在所述氧化镓外延层和所述介质掩膜层上制备预设形状的聚酰亚胺层，且部分所述介质掩膜层未被所述聚酰亚胺层覆盖； 去除所述介质掩膜层，在所述氧化镓外延层上与所述介质掩膜层对应的区域，以及在所述聚酰亚胺层上靠近所述介质掩膜层的区域上表面形成NiO层； 在所述NiO层上形成第一电极层； 在所述氧化镓衬底下表面形成第二电极层。
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