中国科学院微电子研究所李永亮获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种环栅晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114899236B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210471119.1,技术领域涉及:H10D30/60;该发明授权一种环栅晶体管及其制造方法是由李永亮;赵飞;罗军;王文武设计研发完成,并于2022-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种环栅晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种环栅晶体管及其制造方法,涉及半导体技术领域,用于改善环栅晶体管中寄生沟道的漏电,提高环栅晶体管的导电性能。所述环栅晶体管包括:衬底、形成在衬底上的堆叠结构、形成在衬底与堆叠结构之间的含锗半导体结构、以及环绕在至少一层纳米片外周的栅堆叠。堆叠结构包括源区、漏区和至少一层纳米片。至少一层纳米片位于源区和漏区之间,至少一层纳米片分别与源区和漏区接触。含锗半导体结构的宽度小于至少一层纳米片的宽度。含锗半导体结构中锗的含量高于至少一层纳米片中锗的含量。至少一层纳米片与含锗半导体结构之间具有空隙。所述环栅晶体管的制造方法用于制造上述环栅晶体管。
本发明授权一种环栅晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种环栅晶体管,其特征在于,包括:衬底, 形成在衬底上的堆叠结构;所述堆叠结构包括源区、漏区和至少一层纳米片;所述至少一层纳米片位于所述源区和所述漏区之间,所述至少一层纳米片分别与所述源区和所述漏区接触; 形成在所述衬底与所述堆叠结构之间的含锗半导体结构;所述含锗半导体结构的宽度小于所述至少一层纳米片的宽度;所述含锗半导体结构中锗的含量高于所述至少一层纳米片中锗的含量;所述至少一层纳米片与所述含锗半导体结构之间具有空隙; 以及环绕在至少一层纳米片外周的栅堆叠。
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