散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所杜文婷获国家专利权
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龙图腾网获悉散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所申请的专利一种中子谱仪准直器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114779315B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210439755.6，技术领域涉及：G01T7/00；该发明授权一种中子谱仪准直器系统是由杜文婷;胡春明设计研发完成，并于2022-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种中子谱仪准直器系统在说明书摘要公布了：一种中子谱仪准直器系统，包括第一准直器、第一安装架和位姿调节装置，第一准直器设于样品中心点与中子探测器之间，第一准直器安装在第一安装架上，第一安装架安装在位姿调节装置上，第一准直器用于准直衍射中子束流，有效减少杂散中子进入中子探测器，同时位姿调节装置能够调节第一准直器的位姿，寻找衍射中子束流通量最大的位置，使得本底噪声降低，有效信号增强，信噪比增大，谱仪实验分辨率和精度增高。
本发明授权一种中子谱仪准直器系统在权利要求书中公布了：1.一种中子谱仪准直器系统，其特征在于，包括： 第一准直器，所述第一准直器设于样品中心点与中子探测器之间，所述第一准直器用于准直衍射中子束流； 第一安装架，所述第一准直器安装于所述第一安装架上； 位姿调节装置，所述第一安装架安装于所述位姿调节装置上，所述位姿调节装置用于调节所述第一准直器的空间位姿； 所述第一准直器呈前端面小、后端面大的方形喇叭状且所述第一准直器的焦点为样品中心点，所述第一准直器的后端面的覆盖角度大于或等于中子探测器的覆盖角度，所述前端面为圆柱状或球面状，所述后端面为圆柱状或球面状； 第二准直器和第二安装架；所述第二准直器设于所述第一准直器与中子探测器之间，所述第二准直器呈方形喇叭状且所述第二准直器的焦点为样品中心点，所述第二准直器的前端面形状与所述第一准直器的后端面形状相同，所述第二准直器的后端面形状与中子探测器的形状相同且所述第二准直器的后端面紧靠中子探测器的表面；所述第二准直器安装于所述第二安装架上；所述第二准直器作为所述第一准直器的延伸，用于对所述第一准直器准直过的衍射中子束流进一步进行准直。
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