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龙图腾网获悉厦门士兰明镓化合物半导体有限公司申请的专利发光二极管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899287B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210418209.4，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权发光二极管及其制造方法是由李森林;王亚宏;廖寅生;薛龙;赖玉财;谢岚驰设计研发完成，并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种发光二极管及其制造方法。该发光二极管包括：透明衬底；透明键合层，位于透明衬底上；透明导电层，位于透明键合层上；外延层，位于透明导电层上，外延层包括从下到上依次堆叠的第二半导体层、发光层及第一半导体层，外延层覆盖部分透明导电层，使透明导电层的至少部分表面露出；其中，第二半导体层至少包括第二限制层和第二电流扩展层，第二电流扩展层位于第二限制层和透明导电层之间，第二电流扩展层为超晶格结构。通过采用透明衬底的倒装设计、具有超晶格结构的第二电流扩展层以及可增透增亮的透明导电层，极大的提高了电流横向扩展能力，使电流均匀分布，大大提高了光提取效率，进而提升光效。

本发明授权发光二极管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括： 透明衬底； 透明键合层，位于所述透明衬底上； 透明导电层，位于所述透明键合层上； 外延层，位于所述透明导电层上，所述外延层包括从下到上依次堆叠的第二半导体层、发光层及第一半导体层，所述外延层覆盖部分透明导电层，使所述透明导电层的至少部分表面露出； 其中，所述第二半导体层至少包括第二限制层和第二电流扩展层，所述第二电流扩展层位于所述第二限制层和所述透明导电层之间，所述第二电流扩展层为超晶格结构；所述第二限制层和所述第二电流扩展层之间还设置有过渡层； 所述发光二极管还包括： 绝缘层，所述绝缘层覆盖所述外延层的表面和侧壁； 第一导通通道，位于所述外延层上，贯穿所述绝缘层与所述第一半导体层电连接； 第一电极，位于所述绝缘层上，与所述第一导通通道电连接； 第二导通通道，位于所述透明导电层上，贯穿所述绝缘层与所述透明导电层电连接； 第二电极，位于所述绝缘层上，与所述第二导通通道电连接； 所述第二电流扩展层包括交替堆叠的磷化镓层和磷化铝层，沿垂直于所述第一半导体层指向所述第二半导体层的方向，所述磷化镓层的厚度逐渐增大，所述磷化铝层的厚度逐渐减小。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门士兰明镓化合物半导体有限公司，其通讯地址为：361012 福建省厦门市海沧区兰英路99号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。