长江先进存储产业创新中心有限责任公司周凌珺获国家专利权
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龙图腾网获悉长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利相变存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114784049B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210383007.0，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权相变存储器及其制备方法是由周凌珺;杨红心;刘峻设计研发完成，并于2022-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本相变存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种相变存储器及其制备方法，所述相变存储器包括沿第一方向依次堆叠设置的第一导电线、第一存储器单元、第二导电线、第二存储器单元和第三导电线；其中，第一导电线和第三导电线沿第二方向延伸，第二导电线沿第三方向延伸，第一方向、第二方向和第三方向彼此垂直；第一存储器单元包括沿第一方向依次堆叠设置的第一底电极、第一选通层、第一中间电极、第一相变存储层和第一顶电极；第二存储器单元包括沿第一方向依次堆叠设置的第二底电极、第二选通层、第二中间电极、第二相变存储层和第二顶电极；其中，第二相变存储层与第一相变存储层的材料和或厚度不同，第二存储器单元和第一存储器单元的阈值电压基本相同。
本发明授权相变存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种相变存储器，其特征在于，包括： 沿第一方向依次堆叠设置的第一导电线、第一存储器单元、第二导电线、第二存储器单元和第三导电线；其中，所述第一导电线和所述第三导电线沿第二方向延伸，所述第二导电线沿第三方向延伸，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向彼此垂直； 所述第一存储器单元包括沿所述第一方向依次堆叠设置的第一底电极、第一选通层、第一中间电极、第一粘附层、第一相变存储层和第一顶电极； 所述第二存储器单元包括沿所述第一方向依次堆叠设置的第二底电极、第二选通层、第二中间电极、第二粘附层、第二相变存储层和第二顶电极； 其中，所述第二相变存储层与所述第一相变存储层的材料和或厚度不同，所述第一粘附层和所述第二粘附层的材料和或厚度不同； 在所述第一存储器单元中的电流的方向与所述第二存储器单元中的电流的方向相反的情况下，所述第二存储器单元和所述第一存储器单元的阈值电压基本相同。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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