江苏第三代半导体研究院有限公司韩娜获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利深紫外LED外延片、制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566578B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210326620.9，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权深紫外LED外延片、制备方法及半导体器件是由韩娜;王国斌设计研发完成，并于2022-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本深紫外LED外延片、制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种深紫外LED外延片，包括在衬底上依次生长的氮化物缓冲层、氮化物过渡层、n型氮化物层、量子阱有源层、电子阻挡层、接触层；其中，电子阻挡层为BAlN阻挡层；量子阱有源层包括多个交替生长的AlGaN量子阱层AlGaN量子垒层，及最后一层量子阱结构为AlGaNBAlN。本发明利用BAIN阻挡层取代常规的p型AlGaN电子阻挡层，可以减小与量子阱的界面缺陷，规避高Al组分AlGaNEBL的p型掺杂问题。同时，为了进一步提升最后一个量子阱的波函数重叠率，在最后一层量子阱采用AlGaNBAlN，提高了最后一层量子阱的波函数重叠率，量子阱有源区中的电子空穴波函数叠加，提高了深紫外LED量子阱区域的辐射复合效率，进而提高了深紫外LED的功率和效率。
本发明授权深紫外LED外延片、制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.深紫外LED外延片，其特征在于，包括在衬底上依次生长的氮化物缓冲层、氮化物过渡层、n型氮化物层、量子阱有源层、电子阻挡层、接触层； 其中，所述电子阻挡层为BAlN阻挡层；所述量子阱有源层包括多个交替生长的AlGaN量子阱层AlGaN量子垒层，及最后一层量子阱结构为AlGaNBAlN；所述BAlN阻挡层包括无掺杂的BAlN，所述最后一层量子阱结构的波函数重叠率为35.73％。
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