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龙图腾网获悉美商旭明国际股份有限公司;信越化学工业株式会社申请的专利在半导体发光装置与成长基板间的转角上隔离层移除方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148862B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210326586.5，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权在半导体发光装置与成长基板间的转角上隔离层移除方法是由朱振甫;詹士凯;施逸丰;段忠;段大卫;小川敬典;近藤和纪;小材利之;松本展明;北川太一设计研发完成，并于2022-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本在半导体发光装置与成长基板间的转角上隔离层移除方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体发光装置及其制造方法，所述方法包含形成具有侧壁P‑N接面的多个发光二极管结构于一成长基板上，及形成一隔离层于发光二极管结构上，LED结构于所述外延结构与成长基板的交叉处具有转角。此方法亦包含形成一可刻蚀的覆盖通道层于隔离层上，形成一图案化保护层于覆盖通道层上，使用一第一刻蚀工艺形成刻蚀通道于覆盖通道层中，及通过使用一第二刻蚀工艺来刻蚀隔离层以移除隔离层的所述转角。在第二刻蚀工艺以后，隔离层覆盖所述侧壁P‑N接面。此方法亦可包含接合成长基板至一载体，及使用一激光剥离工艺将成长基板与所述发光二极管结构分离。

本发明授权在半导体发光装置与成长基板间的转角上隔离层移除方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光装置的制造方法，其特征在于，包含： 形成多个发光二极管结构于一成长基板上，所述多个发光二极管结构包含具有多个侧壁的多个外延结构，所述多个外延结构包含未掺杂的层、N型层，活性层及P型层； 形成一隔离层在所述多个发光二极管结构上，包含在所述多个外延结构的所述多个侧壁上，所述隔离层包含在所述未掺杂的层与所述成长基板之间的多个转角； 形成一可刻蚀的覆盖通道层在所述隔离层上； 形成一图案化保护层在所述覆盖通道层上，所述覆盖通道层具有多个与所述隔离层的所述多个转角对准的开口； 使用一第一刻蚀工艺刻蚀在所述覆盖通道层中的数条通道，于其中一第一刻蚀剂经由所述图案化保护层中的所述多个开口以刻蚀掉所述覆盖通道层的多个部分； 通过使用一第二刻蚀工艺刻蚀所述隔离层来移除所述隔离层的所述多个转角，于其中一第二刻蚀剂经由所述多个通道以移除所述多个转角，留下所述隔离层覆盖所述多个P型层的侧壁，所述多个活性层的侧壁及所述多个N型层的侧壁的部分；及 移除所述图案化保护层与所述覆盖通道层。

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