上海华虹宏力半导体制造有限公司刘冲获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种垂直MOS晶体管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551244B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210239392.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种垂直MOS晶体管的制备方法是由刘冲;邹永金;陈宏设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直MOS晶体管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种垂直MOS晶体管的制备方法，包括以下步骤：步骤S22：在沟槽的侧壁上形成侧墙，并以侧墙为掩模对沟槽的底壁进行离子注入；步骤S23：在沟槽的底壁形成第一绝缘膜层，并去除所述侧墙；步骤S24：在沟槽的内壁上形成第二绝缘膜层。本发明通过增加步骤S22和步骤S23，来增加沟槽底壁上的绝缘层的厚度，也就是增加了第一绝缘膜层的厚度，还提高垂直MOS晶体管的击穿电压，以避免在沟槽的底角处发生介电层击穿，还可以降低垂直MOS晶体管的寄生电容，从而提高了器件的响应速度。
本发明授权一种垂直MOS晶体管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直MOS晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S21：提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有沟槽，所述沟槽具有圆角轮廓； 步骤S22：在所述沟槽的侧壁上形成侧墙，并以所述侧墙为掩模对所述沟槽的底壁进行离子注入，以疏松所述沟槽暴露出来的部分； 步骤S23：在所述沟槽的底壁形成第一绝缘膜层，并去除所述侧墙； 步骤S24：在所述沟槽的内壁上形成第二绝缘膜层； 其中，所述沟槽底部的绝缘层总厚度为所述第一绝缘膜层和第二绝缘膜层厚度之和。
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