无锡中微高科电子有限公司戴飞虎获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡中微高科电子有限公司申请的专利一种三维扇出型封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114649292B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210241143.6,技术领域涉及:H01L23/498;该发明授权一种三维扇出型封装结构及其制作方法是由戴飞虎;王成迁;段鹏超;杨诚;高艳设计研发完成,并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维扇出型封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了:本发明涉及集成电路封装技术领域,具体公开了一种三维扇出型封装结构,其中,包括:无源载板,其设置多个金属填充盲孔,正面形成有第一再布线金属层和第一再布线钝化层;第一再布线钝化层上通过垂直引线焊盘和垂直引线连接第一芯片塑封结构,第一芯片塑封结构上形成有第二再布线金属层和第二再布线钝化层,第二再布线钝化层上形成有第二芯片塑封结构;无源载板的背面形成背面凹槽,无源载板的背面除去背面凹槽的底壁位置处均设置背面钝化层,一部分背面凹槽内形成金属凸点,另一部分背面凹槽连接第三芯片结构。本发明还公开了一种三维扇出型封装结构的制作方法。本发明提供的三维扇出型封装结构有效解决了翘曲和散热问题。
本发明授权一种三维扇出型封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种三维扇出型封装结构的制作方法,包括三维扇出型封装结构,其特征在于,所述三维扇出型封装结构包括: 无源载板,所述无源载板内设置多个金属填充盲孔; 所述无源载板的正面形成有第一再布线金属层和第一再布线钝化层,所述第一再布线金属层和所述第一再布线钝化层均与所述金属填充盲孔接触; 所述第一再布线钝化层上通过垂直引线焊盘和垂直引线连接第一芯片塑封结构,所述第一芯片塑封结构上形成有第二再布线金属层和第二再布线钝化层,所述第二再布线钝化层上形成有与所述垂直引线连接的第二芯片塑封结构; 所述无源载板的背面形成与所述金属填充盲孔位置对应的背面凹槽,所述无源载板的背面除去所述背面凹槽的底壁位置处均设置背面钝化层,一部分所述背面凹槽内形成金属凸点,另一部分所述背面凹槽连接第三芯片结构; 所述一种三维扇出型封装结构的制作方法包括以下步骤: 提供无源载板,所述无源载板内设置多个金属填充盲孔; 在所述无源载板的正面进行n层再布线,得到第一再布线金属层和第一再布线钝化层,其中所述第一再布线金属层和所述第一再布线钝化层均与所述金属填充盲孔接触; 在所述第一再布线钝化层上制作垂直引线焊盘; 将第一芯片倒装在位于中间区域的所述垂直引线焊盘上; 在位于边缘区域的所述垂直引线焊盘上制作垂直引线; 制作第一塑封层,将所述垂直引线和所述第一芯片进行包封; 在所述第一塑封层上进行n层再布线,得到第二再布线金属层和第二再布线钝化层,其中所述第二再布线钝化层位于所述垂直引线的正上方,且与所述垂直引线连接; 将第二芯片倒装在所述第一塑封层的上方,且所述第二芯片的凸点与所述第二再布线钝化层连接; 在所述第二再布线金属层上形成第二塑封层,所述第二塑封层包封所述第一塑封层的侧壁以及所述第二芯片; 在所述无源载板的背面形成与所述金属填充盲孔位置对应的背面凹槽,且露出所述金属填充盲孔中的填充金属; 在所述无源载板的背面除去所述背面凹槽的底壁位置处制作背面钝化层; 在一部分所述背面凹槽内形成金属凸点,在另一部分所述背面凹槽内倒装第三芯片结构。
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