三菱电机株式会社三上和人获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117040B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210242761.2，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权半导体装置是由三上和人设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明的目的在于针对逆并联连接有MOSFET和SBD的半导体装置而使热设计变得容易。半导体装置101具有：MOSFET芯片5，其设置于图案31之上，自身的漏极电极及源极电极分别与图案31及图案32电连接；SBD芯片6，其设置于图案33之上，自身的阴极电极及阳极电极分别与图案33及图案34电连接；漏极主端子7，其与图案31连接；源极主端子8，其与图案32连接；阴极主端子9，其与图案33连接；以及阳极主端子10，其与图案34连接。漏极主端子7与阴极主端子9及源极主端子8与阳极主端子10的至少一者未电连接。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具有： 基座板； 至少1个绝缘基板，其设置于所述基座板之上； 作为导电图案的第1图案、第2图案、第3图案及第4图案，它们在所述至少1个绝缘基板之上分离地设置； MOSFET芯片，其设置于所述第1图案之上，自身的漏极电极及源极电极分别与所述第1图案及所述第2图案电连接； SBD芯片，其设置于所述第3图案之上，自身的阴极电极及阳极电极分别与所述第3图案及所述第4图案电连接； 漏极端子，其与所述第1图案连接； 源极端子，其与所述第2图案连接； 阴极端子，其与所述第3图案连接；以及 阳极端子，其与所述第4图案连接， 所述漏极端子与所述阴极端子及所述源极端子与所述阳极端子的至少一者未电连接， 所述漏极端子与所述阴极端子电连接， 所述半导体装置具有与所述第1图案及所述第3图案连接的第1共通端子， 从所述第1共通端子的外部连接端向所述第1图案的电流路径构成所述漏极端子， 从所述第1共通端子的外部连接端向所述第3图案的电流路径构成所述阴极端子， 所述漏极端子的配线电感大于所述阴极端子的配线电感。
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