西安交通大学马伟获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种非易失的多态电化学存储器及其加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582395B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210212715.8，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权一种非易失的多态电化学存储器及其加工方法是由马伟;王世杰设计研发完成，并于2022-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种非易失的多态电化学存储器及其加工方法在说明书摘要公布了：一种非易失的多态电化学存储器及其加工方法，存储器包括设置在衬底上的源极、漏极、栅极与电解质层；源极作为底电极，漏极作为顶电极，在源极与漏极之间设置聚合物半导体沟道形成一个正立的三明治结构；栅极设置在三明治结构的侧面，栅极与衬底的表面之间设置聚合物半导体沟道；电解质层由上至下将栅极、三明治结构及栅极与三明治结构之间的空隙覆盖和填充；栅极连接写入脉冲电路，漏极接读取脉冲电路，通过获得读取电流，计算得到存储电导值。加工方法包括使用溶液加工法沉积聚合物半导体沟道、增强沟道的沟道结晶，以及使用反应离子刻蚀法打开沟道。本发明能够在单一器件上实现多模拟态非易失存储，写入准确，结构简单，加工成本较低。
本发明授权一种非易失的多态电化学存储器及其加工方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失的多态电化学存储器，其特征在于，包括衬底1以及设置在衬底1上的源极2、漏极4、栅极5与电解质层6；所述的源极2作为底电极，所述的漏极4作为顶电极，在源极2与漏极4之间设置聚合物半导体沟道3形成一个正立的三明治结构；所述的栅极5设置在三明治结构的侧面，栅极5与衬底1的表面之间设置聚合物半导体沟道3；所述的电解质层6由上至下将栅极5、三明治结构及栅极5与三明治结构之间的空隙覆盖和填充；所述的栅极5连接写入脉冲电路，所述的漏极4连接读取脉冲电路，通过获得读取电流，以欧姆定律计算得到存储电导值。
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