东芯半导体股份有限公司金镇湖获国家专利权
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龙图腾网获悉东芯半导体股份有限公司申请的专利具有垂直沟道晶体管的存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446965B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210113278.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权具有垂直沟道晶体管的存储器及其制造方法是由金镇湖设计研发完成，并于2022-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有垂直沟道晶体管的存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供具有垂直沟道晶体管的存储器及其制造方法。通过将多条位线围绕半导体柱的下部的外壁形成，将多条字线在多条位线的上方隔着中间绝缘层而围绕半导体柱的外壁形成，使得垂直沟槽晶体管的主体能够直接接触半导体衬底，从而避免垂直沟槽晶体管的主体浮动，且可以缩小器件尺寸，提高器件可靠性。此外，仅通过沉积和蚀刻工艺来形成栅堆叠结构，无需光刻工艺，不借助光掩模而形成字线，结构和工艺较为简单，从而沿用现有设备和材料即可将存储器扩展到10nm以下。
本发明授权具有垂直沟道晶体管的存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种具有垂直沟道晶体管的存储器的制造方法，其特征在于，包括如下工序： 在半导体衬底上形成多个半导体柱的工序，该多个半导体柱垂直于半导体衬底的水平表面而延伸，在第一方向上及与所述第一方向交叉的第二方向上排列成阵列； 设置沿所述第一方向延伸而平行的多条位线的工序，每一条位线围绕所述第一方向上排列的多个半导体柱的下部的外壁形成；及 在所述多条位线的上方，与所述多条位线之间隔着中间绝缘层而设置沿所述第二方向延伸而平行的多条字线的工序，每一条字线围绕所述第二方向上排列的多个半导体柱的外壁形成， 形成所述位线的工序包括： 在形成有所述多个半导体柱的半导体衬底上沉积第一氧化物层，并仅在半导体衬底上形成第一氮化物层； 沉积第二氧化物层； 蚀刻所述第二氧化物层、所述第一氮化物层和所述第一氧化物层以形成位线切口并注入杂质； 仅去除围绕所述多个半导体柱的下部的外壁的所述第一氮化物层和所述第一氧化物层； 沉积导电材料并进行蚀刻来形成所述位线。
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