中国电子科技集团公司第十三研究所杨大宝获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法及异构芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582724B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210086524.1，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法及异构芯片是由杨大宝;邢东;刘波;赵向阳;冯志红设计研发完成，并于2022-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法及异构芯片在说明书摘要公布了：本发明提供了一种太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法及异构芯片，属于半导体技术领域，包括制备外延晶圆片；肖特基二极管基本结构制作；减薄外延晶圆片；在减薄后的外延晶圆片背面涂预设厚度的低介质胶，形成低介电常数衬底；在低介电常数衬底的表面粘接临时保护性基板；去除外延晶圆片正面的临时性磨片基板；阳极阴极隔离腐蚀；一次固化低介电常数衬底；去除低介电常数衬底表面的临时保护性基板；二次固化所述低介电常数衬底，完成芯片的制作。本发明提供的太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法，直接能够制造小于10微米的异构衬底，无需对异构替换后的衬底做减薄处理，且直接涂胶固化形成衬底，制作容易，工艺参数易于控制。
本发明授权太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法及异构芯片在权利要求书中公布了：1.一种太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法，其特征在于，包括： 制备外延晶圆片； 在所述外延晶圆片上制作肖特基接触作为阳极8，欧姆接触作为阴极6； 在所述外延晶圆片正面粘接临时性磨片基板9，以此作为临时性衬底，减薄所述外延晶圆片； 在减薄后的外延晶圆片背面涂敷预设厚度的低介质胶，形成低介电常数衬底10； 在所述低介电常数衬底10的表面粘接临时保护性基板11； 以所述临时保护性基板作为临时衬底，去除外延晶圆片正面的所述临时性磨片基板9； 阳极阴极隔离腐蚀； 一次固化所述低介电常数衬底10； 去除所述低介电常数衬底10表面的所述临时保护性基板11； 二次固化所述低介电常数衬底10，完成芯片的制作。
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