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龙图腾网获悉井芯微电子技术(天津)有限公司申请的专利一种RapidIO交换芯片延时性能测量的方法与装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114859208B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210059337.4，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种RapidIO交换芯片延时性能测量的方法与装置是由朱珂;王盼;王永胜;林谦;顾艳伍;赵金萍;储志博;张瑞卿设计研发完成，并于2022-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种RapidIO交换芯片延时性能测量的方法与装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种RapidIO交换芯片延时性能测量的方法与装置，以RapidIO交换芯片RTL代码作为待测对象DUT；DUT包括数字电路代码和模拟电路代码，所述模拟电路代码包括Serdes模型，用于生成RapidIO协议数据报文作为测试激励，并反应物理模拟电路的实际时序行为；所述数字电路代码在模拟电路代码相应的时钟节拍驱动下在DUT中传输；记录数字电路代码在交换芯片输入口S0_I第一拍数据报文上升沿对应的时间值T1和S1_I第一拍数据的上升沿对应的时间值T2，T2和T1的时间差为RapidIO交换芯片的整个传输通路的延时时间。本发明所述的RapidIO交换芯片延时性能测量的方法与装置的待测对象由RTL设计代码替代，解决了现有测试仪无法支持RapidIO交换芯片6.25Gbps以上频点延时测试的问题。

本发明授权一种RapidIO交换芯片延时性能测量的方法与装置在权利要求书中公布了：1.一种RapidIO交换芯片延时性能测量的方法，其特征在于：以RapidIO交换芯片RTL代码作为待测对象DUT； DUT包括数字电路代码和模拟电路代码，所述模拟电路代码包括Serdes模型，用于生成RapidIO协议数据报文作为测试激励，并反应物理模拟电路的实际时序行为；所述数字电路代码在模拟电路代码相应的时钟节拍驱动下在DUT中传输； 记录数字电路代码在交换芯片输入口S0_I第一拍数据报文上升沿对应的时间值T1和S1_I第一拍数据的上升沿对应的时间值T2，T2和T1的时间差为RapidIO交换芯片的整个传输通路的延时时间； DUT包括两个端口，分别为port0端口和port1端口，port0端口通过Serdes高速通道线连接Serdes模型，port0端口的输出端连接交换芯片输入口S0_I，输入端连接交换芯片输出口S0_O的输出端，交换芯片输入口S0_I的输出端连接交换芯片输出口S1_O的输入端，交换芯片输出口S1_O的输出端连接port1端口的输入端，交换芯片输出口S0_O的输入端连接交换芯片输入口S1_I的输出端，交换芯片输入口S1_I的输入端连接port1端口输出端。

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