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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种外延片、外延片生长方法及高电子迁移率晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551594B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210051646.7，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种外延片、外延片生长方法及高电子迁移率晶体管是由胡加辉;刘春杨;金从龙;顾伟设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种外延片、外延片生长方法及高电子迁移率晶体管在说明书摘要公布了：本发明提供一种外延片、外延片生长方法及高电子迁移率晶体管，该外延片包括依次层叠设置的Si衬底、AlN成核层、高阻缓冲层、沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，所述高阻缓冲层包括依次层叠设置的AlNAlGaN超晶格层、AlGaN块状层、AlNGaN超晶格层以及GaN块状层，所述AlNAlGaN超晶格层设置在靠近所述AlN成核层一侧；其中，所述AlNAlGaN超晶格层中的AlGaN子层和所述AlNGaN超晶格层中的GaN子层均掺杂有低浓度的Fe，且所述GaN子层的掺杂浓度高于所述AlGaN子层的掺杂浓度。与现有技术相比，本发明提出的外延片既能实现高阻又具有很高的晶体质量。

本发明授权一种外延片、外延片生长方法及高电子迁移率晶体管在权利要求书中公布了：1.一种外延片，其特征在于，包括依次层叠设置的Si衬底、AlN成核层、高阻缓冲层、沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，所述高阻缓冲层包括依次层叠设置的AlNAlGaN超晶格层、AlGaN块状层、AlNGaN超晶格层以及GaN块状层，所述AlNAlGaN超晶格层设置在靠近所述AlN成核层一侧； 其中，所述AlNAlGaN超晶格层中的AlGaN子层和所述AlNGaN超晶格层中的GaN子层均掺杂有低浓度的Fe，且所述GaN子层的掺杂浓度高于所述AlGaN子层的掺杂浓度； 所述AlNAlGaN超晶格层中AlGaN中的Al组分为0.50~0.80，所述AlGaN子层的掺杂浓度为5*1016cm-3-5*1018cm-3，所述AlNGaN超晶格层中GaN子层的掺杂浓度为5*1016cm-3-5*1018cm-3； 所述AlGaN块状层中AlGaN的Al组分为0.20~0.50，所述AlGaN块状层和所述GaN块状层中均掺杂有高浓度的Fe，掺杂浓度为5*1019cm-3-5*1020cm-3。

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