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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300353B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111668040.X，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的方法是由巢炎;黄伟业;李彬设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的方法；通过两对超声发生器在反应釜内形成了驻波场，使得带电金属粒子在驻波场中停滞在各个驻波节点上；通过在两个石墨电极中通入交变电流，使反应釜中产生交变电场，使得带电金属粒子沿交变电场力的方向带动腐蚀液中的酸与硅片发生刻蚀反应；通过改变超声波的频率和幅值改变驻波场中驻波节点的位置，从而改变带电金属粒子催化刻蚀反应的位置；通过改变交变电流的频率与幅值，改变硅片表面微结构的腐蚀深度；通过改变交变电场力的方向，改变硅片表面微结构的倾斜度。本发明通过调节超声波和交变电流的频率和幅值，能实现按预设图案对硅片表面进行刻蚀；提高了硅片的刻蚀效率和精确度。

本发明授权一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的方法，其特征在于：具体如下： 步骤一、在反应釜底部的凹槽一和反应釜两侧的两个凹槽二内均装配一个超声发生器，将待加工硅片卡在三个超声发生器上；将腐蚀液注入反应釜中，在反应釜的端盖底部的凹槽一内装配一个超声发生器，将反应釜的端盖盖在反应釜上，并使端盖上的超声发生器也卡住硅片；反应釜底部的超声发生器和端盖底部的超声发生器为一对，反应釜两侧的两个超声发生器为一对；然后，将两个石墨电极置于腐蚀液中，并与交变电源连接；最后，打开两对超声发生器，调节两对超声发生器的频率和幅值，使两对超声发生器发出的超声波在硅片表面形成驻波场，驻波场的各驻波节点均位于与预设硅纳米结构形状和位置一致的图案上；驻波场使得腐蚀液中的带电金属粒子停滞在驻波场中的各个驻波节点上； 步骤二、交变电源向两个石墨电极通电，使得两个石墨电极之间产生交变电场；腐蚀液中停滞在驻波节点上的带电金属粒子受交变电场力影响，沿交变电场力的方向运动，并与硅片产生撞击，而团聚在带电金属粒子周围的腐蚀液中的酸在带电金属粒子带动下与硅片表面反应；带电金属粒子与硅片撞击后反弹，反弹后的带电金属粒子又重新回到各个驻波节点上，并受到交变电场力的影响，再次与硅片产生撞击；经过预设时间后，在硅片表面形成一部分预设硅纳米结构； 步骤三、交变电源停止向两个石墨电极通电，改变两对超声发生器的频率和幅值，使硅片表面驻波场中的驻波节点沿与预设硅纳米结构形状和位置一致的图案移动至下一处未形成预设硅纳米结构的位置，带电金属粒子也跟随驻波节点一起运动；然后，重复步骤二，在硅片表面形成下一部分预设硅纳米结构； 步骤四、重复步骤三，逐渐在硅片表面刻蚀出整个硅纳米结构。

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