深圳市千屹芯科技有限公司祁金伟获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉深圳市千屹芯科技有限公司申请的专利低关断电流拖尾的超级结IGBT及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335143B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111638577.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权低关断电流拖尾的超级结IGBT及其制作方法是由祁金伟设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本低关断电流拖尾的超级结IGBT及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低关断电流拖尾的超级结IGBT及其制作方法。所述超级结IGBT包括集电区、漂移区、外延层和阱区；漂移区内分布有超级结结构，超级结结构包含柱状结构；阱区上部形成有发射极，外延层和阱区内分布有栅极，每一发射极环绕相应的一个栅极的上部电性隔离设置，每一栅极的下部进入外延层；集电区下端与集电极电性结合；集电区、阱区、柱状结构均是第一导电类型的，漂移区、外延层、发射极均是第二导电类型的；柱状结构下端还与第二导电类型的高掺杂区电接触，高掺杂区分布在漂移区内且与集电区无接触。本发明提供的超级结IGBT降低了关断电流拖尾，进而降低了关断能量损耗。
本发明授权低关断电流拖尾的超级结IGBT及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种低关断电流拖尾的超级结IGBT，包括从下向上依次设置的集电区、漂移区、外延层和阱区；所述漂移区内分布有多个超级结结构，所述超级结结构包括柱状结构，所述柱状结构自漂移区上端向漂移区内部延伸但与集电区无直接接触；所述阱区上部形成有多个发射极，所述外延层和阱区内分布有多个栅极，每一发射极环绕相应的一个栅极的上部设置且与栅极电性隔离，每一栅极的下部进入外延层但与漂移区无直接接触；所述集电区下端与集电极电性结合；所述集电区、阱区、柱状结构均是第一导电类型的，所述漂移区、外延层、发射极均是第二导电类型的；其特征在于：所述柱状结构下端还与第二导电类型的高掺杂区电性接触，所述高掺杂区分布在漂移区内且与集电区无直接接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市千屹芯科技有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市宝安区新安街道海裕社区82区新湖路华美居商务中心A区612；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号