中国电子科技南湖研究院敖应权获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技南湖研究院申请的专利一种光栅面发射半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284866B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111629152.4，技术领域涉及：H01S5/185；该发明授权一种光栅面发射半导体激光器是由敖应权设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光栅面发射半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光栅面发射半导体激光器，属于激光器技术领域，该激光器包括依次设置的表面金属电极层、脊波导层、p型掺杂包层、p型掺杂光限制层、有源区、一阶光栅层、n型掺杂光限制层、隔离层和衬底层，在有源区上方设有高阶表面光栅，脊波导在与高阶表面光栅的重叠区为宽度渐变结构，形成折射率的渐变，使得激光出射角度与激光器表面法线方向存在一个夹角。本发明较小的脊波导宽度改变能实现较大的等效折射率变化，等效“啁啾”效果佳，实现激光出射的方向偏离激光器表面法线方向。
本发明授权一种光栅面发射半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种光栅面发射半导体激光器，包括依次设置的表面金属电极层、脊波导层、p型掺杂包层、p型掺杂光限制层、有源区、n型掺杂光限制层、隔离层和衬底层，其特征在于，所述有源区与n型掺杂光限制层之间设置有一阶光栅层；所述有源区上方设置有高阶表面光栅层，所述高阶表面光栅层从p型掺杂光限制层延伸到脊波导层，所述高阶表面光栅的栅条与脊波导层重叠区内的脊波导为宽度渐变结构，所述宽度渐变结构沿激光器的光谐振方向宽度逐渐增加； 其中，所述一阶光栅层的周期为200nm~280nm，占空比为50%，深度为20nm~80nm； 所述高阶表面光栅的周期为1μm~5μm，占空比为20%~90%，深度为0.1μm~3μm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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