上海贝岭股份有限公司王鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉上海贝岭股份有限公司申请的专利EEPROM及其读写电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300018B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111618280.9，技术领域涉及：G11C16/06；该发明授权EEPROM及其读写电路是由王鑫;周浩;宋金星;陆云;杨阳;赵犇设计研发完成，并于2021-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本EEPROM及其读写电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种EEPROM及其读写电路，其中读写电路包括：存储电路和若干组锁存器，每组锁存器包括电压切换电路和锁存电路；第一切换电路包括第一NMOS管，该管的栅极与第一锁存电路的数据传输端电连接，该管的源极与存储电路的第一电压端电连接；第二切换电路包括第二NMOS管，该管的栅极与第二锁存电路的字节选择端电连接，该管的源极与存储电路的第二电压端电连接。本发明对EEPROM的读写电路进行优化设计，采用电压切换电路读写通路共用的方式，使得读写电路的器件减半，实现读、写、擦功能的同时，减少器件的数量，降低芯片的成本，简化电路结构，减小占用空间，满足了EEPROM低功耗、低成本的产品需求。
本发明授权EEPROM及其读写电路在权利要求书中公布了：1.一种EEPROM的读写电路，其特征在于，所述读写电路包括： 存储电路和若干组锁存器，每组所述锁存器包括电压切换电路和锁存电路，每组所述锁存器对应传输一个字节的数据； 所述电压切换电路包括第一切换电路和第二切换电路； 所述锁存电路包括第一锁存电路和第二锁存电路； 其中，所述第一锁存电路、所述第一切换电路和所述存储电路依次电连接，所述第二锁存电路、所述第二切换电路和所述存储电路依次电连接； 所述第一切换电路包括第一NMOS管，所述第二切换电路包括第二NMOS管； 其中，所述第一NMOS管的栅极与所述第一锁存电路的数据传输端电连接，所述第一NMOS管的源极与所述存储电路的第一电压端电连接； 第二NMOS管的栅极与所述第二锁存电路的字节选择端电连接，所述第二NMOS管的源极与所述存储电路的第二电压端电连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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