无锡中微亿芯有限公司曹正州获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡中微亿芯有限公司申请的专利flash型FPGA的本征态电流控制电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114285406B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111582300.1，技术领域涉及：H03K19/1778；该发明授权flash型FPGA的本征态电流控制电路是由曹正州;单悦尔;季振凯;祝洁;孙佩;胡恩泽设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本flash型FPGA的本征态电流控制电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种flash型FPGA的本征态电流控制电路，涉及flash型FPGA领域，该本征态电流控制电路包括导通开关管和利用p_flash开关单元的本征弱导通状态设计的开关管控制逻辑，导通开关管连接在flash型FPGA的内核地与芯片地之间，在flash型FPGA的第一次上电过程中，开关管控制逻辑在p_flash开关单元的内部残留电荷作用下、输出无效电平使导通开关管关断，使得内核地处于浮空状态，阻止内核电源到内核地产生大电流。
本发明授权flash型FPGA的本征态电流控制电路在权利要求书中公布了：1.一种flash型FPGA的本征态电流控制电路，其特征在于，所述本征态电流控制电路包括导通开关管和开关管控制逻辑，所述导通开关管连接在flash型FPGA的内核电源与芯片地之间的通路上，芯片地是所述flash型FPGA的接地引脚； 所述开关管控制逻辑连接并控制所述导通开关管的通断，所述开关管控制逻辑基于p_flash开关单元构建，在所述flash型FPGA的第一次上电过程中，所述开关管控制逻辑在p_flash开关单元的内部残留电荷作用下、输出无效电平使所述导通开关管关断，使得内核电源与芯片地之间的通路断开，并完成所述flash型FPGA的第一次上电。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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