中国科学院金属研究所马嵩获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院金属研究所申请的专利一种EuIG/SnTe异质结单晶外延薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464729B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111524765.1，技术领域涉及：H10N50/85；该发明授权一种EuIG/SnTe异质结单晶外延薄膜及其制备方法是由马嵩;张安琪;刘大珩;刘伟;张志东设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种EuIG/SnTe异质结单晶外延薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种EuIGSnTe异质结单晶外延薄膜及其制备方法，所述EuIGSnTe异质结单晶外延薄膜的制备方法为：提供GGG基底，并将该GGG基底置于真空系统中；利用脉冲激光沉积生长一EuIG薄膜于该GGG基底表面；再利用分子束外延技术生长一SnTe薄膜于作为基底的EuIG薄膜表面。利用本发明方法可制备出高质量的单晶外延铁磁拓扑晶体绝缘体异质结，可在5K时观察到线性磁电阻效应并伴随霍尔效应的双载流子现象。
本发明授权一种EuIG/SnTe异质结单晶外延薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种EuIGSnTe异质结单晶外延薄膜，其特征在于：在GGG110基底表面生长EuIG110单晶外延薄膜，在该薄膜表面生长SnTe100单晶外延薄膜；所述EuIG单晶外延薄膜厚度为10-100nm，所述SnTe单晶外延薄膜厚度为5-30nm。
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