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龙图腾网获悉上海集成电路研发中心有限公司申请的专利金属连线结构的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314008B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111486630.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权金属连线结构的制备方法及半导体器件是由程继设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本金属连线结构的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种金属连线结构的制备方法，包括在通孔结构内填充金属钨以形成不低于所述通孔层的上表面的初始钨互连线结构；去除部分所述通孔层的介质材料，使形成的第二介质层的上表面低于所述初始钨互连线结构的上表面；沉积粘结层，使所述粘结层包覆外露于所述第二介质层的所述初始钨互连线结构；沉积形成钨牺牲层；进行化学机械平坦化处理，直至露出位于所述第二介质层的上表面的所述粘结层；去除所述粘结层直至露出第二介质层，以形成钨互连线结构。避免了研磨液渗入腐蚀零层钴互连线结构，解决了金属连线结构中钴缺失的问题，而且制得的金属连线结构中无需设置粘结层，大大降低了接触电阻。本发明还提供了一种半导体器件。

本发明授权金属连线结构的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种金属连线结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：提供具有零层钴互连线结构的第一介质层； S2：在所述第一介质层的上表面形成图形化后的通孔层，且使所述通孔层中的通孔结构贯穿所述通孔层至所述零层钴互连线结构的表面； S3：在所述通孔结构内填充金属钨，以形成初始钨互连线结构，且使所述初始钨互连线结构的上表面不低于所述通孔层的上表面； S4：去除部分所述通孔层的介质材料，以形成第二介质层，且使所述第二介质层的上表面低于所述初始钨互连线结构的上表面； S5：在所述第二介质层的上表面和所述初始钨互连线结构的上表面沉积粘结层，且使所述粘结层包覆外露于所述第二介质层的所述初始钨互连线结构； S6：在所述粘结层的上表面沉积金属钨，以形成钨牺牲层； S7：采用化学机械平坦化工艺去除所述钨牺牲层、部分所述粘结层和部分所述初始钨互连线结构，直至露出位于所述第二介质层的上表面的所述粘结层； S8：去除所述第二介质层的上表面的所述粘结层，直至露出所述第二介质层，以形成钨互连线结构。

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