矽磐微电子(重庆)有限公司涂旭峰获国家专利权
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龙图腾网获悉矽磐微电子(重庆)有限公司申请的专利芯片互连封装结构及芯片互连的封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171397B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111452332.X，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权芯片互连封装结构及芯片互连的封装方法是由涂旭峰;王鑫璐设计研发完成，并于2021-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片互连封装结构及芯片互连的封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种芯片互连封装结构及芯片互连的封装方法，形成封装第一芯片的第一塑封层，且在第一塑封层的靠近第一芯片正面的一侧形成凹槽；至少在凹槽的底面及侧面形成第一重布线层，且在放置第二芯片于凹槽底面的第一重布线层上后，第二芯片的背面与第一重布线层电连接；通过于第一芯片正面的第一焊盘、第二芯片正面的第二焊盘、第一重布线层和第二塑封层上形成第二重布线层，且第一焊盘和第一重布线层通过第二重布线层实现电连接，使得第一芯片的正面通过第二重布线层和第一重布线层与第二芯片的背面进行电连接。本发明的技术方案在实现芯片双面互连的同时，还能对封装产品的变形、生产成本高以及芯片数量受限等问题进行改善。
本发明授权芯片互连封装结构及芯片互连的封装方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片互连的封装方法，其特征在于，包括： 提供载板及第一芯片，其中所述第一芯片的正面形成有第一焊盘； 将所述第一芯片的正面朝向所述载板贴装； 在所述载板之上形成第一塑封层，以对所述第一芯片进行封装； 去除所述载板，并在所述第一塑封层靠近所述第一芯片正面的一侧形成凹槽； 至少在所述凹槽底面及侧面形成第一重布线层； 提供第二芯片，其中所述第二芯片的正面形成有第二焊盘； 放置所述第二芯片于所述凹槽底面的第一重布线层之上，其中所述第二芯片的背面朝向所述凹槽底面，所述第二芯片的背面与所述凹槽底面的所述第一重布线层接触； 形成覆盖所述第一芯片和所述第二芯片的第二塑封层； 于所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第一重布线层和所述第二塑封层上形成第二重布线层，且所述第一焊盘和所述第一重布线层通过所述第二重布线层实现电连接。
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