中国科学院上海微系统与信息技术研究所王长获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利单窄通二维封闭式表面波光子晶体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116093561B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111304419.2，技术领域涉及：H01P1/20；该发明授权单窄通二维封闭式表面波光子晶体结构是由王长;郑永辉;谭智勇;张真真;曹俊诚设计研发完成，并于2021-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本单窄通二维封闭式表面波光子晶体结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种单窄通二维封闭式表面波光子晶体结构，通过第一金属板、周围金属柱、缺陷金属柱及缺陷金属柱与第一金属板的间隔构成了表面波光子晶体结构，且通过第二金属板，形成封闭式表面波光子晶体结构，提高光子晶体的抗干扰能力；另外，通过使周围金属柱呈行和列等间距排布；缺陷金属柱呈列排布，或缺陷金属柱呈连通的行和列排布的L型；缺陷金属柱两侧均与周围金属柱相邻，且两缺陷金属柱之间的间隔是相邻两周围金属柱之间间隔的两倍；缺陷金属柱与相邻的周围金属柱之间的间距与呈行和列等间距排布的两相邻所述周围金属柱之间的间距相等，可解决二维封闭式表面波光子晶体结构的带内震荡的问题，减小光子晶体结构的带宽及带内频率震荡。
本发明授权单窄通二维封闭式表面波光子晶体结构在权利要求书中公布了：1.一种单窄通二维封闭式表面波光子晶体结构，其特征在于，所述光子晶体结构包括： 依次层叠的第一金属板、金属柱阵列及第二金属板； 所述金属柱阵列包括周围金属柱及缺陷金属柱；所述周围金属柱的两端分别与所述第一金属板及所述第二金属板相接触；所述周围金属柱呈行和列等间距排布；所述缺陷金属柱呈列排布，或所述缺陷金属柱呈连通的行和列排布的L型；所述缺陷金属柱两侧均与所述周围金属柱相邻，且相邻两缺陷金属柱之间的间隔是相邻两周围金属柱之间间隔的两倍；所述缺陷金属柱与相邻的所述周围金属柱之间的间距与呈行和列等间距排布的两相邻所述周围金属柱之间的间距相等； 所述缺陷金属柱的高度小于所述周围金属柱的高度，所述缺陷金属柱的横截面积小于所述周围金属柱的横截面积； 所述金属柱阵列中的所有所述周围金属柱均相同，所述金属柱阵列中的所有所述缺陷金属柱也均相同。
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