华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司孙鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司申请的专利一种扇出型封装结构及其构造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005812B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111267187.8，技术领域涉及：H01L23/552；该发明授权一种扇出型封装结构及其构造方法是由孙鹏;张凯设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种扇出型封装结构及其构造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体先进封装技术领域，提出一种扇出型封装结构及其构造方法。该结构包括：布线层；芯片，其包括第一面至第六面，所述第一面与所述布线层连接；金属屏蔽层，其与所述芯片的第二面至第六面覆盖接触；以及金属散热层，其与所述金属屏蔽层连接。
本发明授权一种扇出型封装结构及其构造方法在权利要求书中公布了：1.一种扇出型封装结构，其特征在于，包括： 布线层； 芯片，其包括第一面至第六面，所述第一面与所述布线层连接；所述布线层包括多层布线层，所述多层布线层包括： 钝化层，所述钝化层与所述芯片的第一面接触，并且所述钝化层具有钝化层开口； 金属布线层，所述金属布线层与所述芯片通过所述钝化层开口连接；以及 金属焊盘，所述金属焊盘设置在所述金属布线层的外侧，通过所述金属布线层与所述芯片电连接； 金属屏蔽层，其与所述芯片的第二面至第六面覆盖接触； 金属散热层，其与所述金属屏蔽层连接，所述金属散热层布置于所述金属屏蔽层上方与所述金属屏蔽层接触并且连通； 散热片； 导热胶，其连接所述散热片以及所述金属散热层，所述散热片和导热胶布置于所述金属散热层的上方；以及 塑封料，其填充于所述芯片以及金属散热层之间，所述塑封料包覆所述芯片，所述塑封料上形成有塑封层开口，所述金属散热层和所述导热胶形成在所述塑封层开口中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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