环球晶圆股份有限公司蔡子萱获国家专利权
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龙图腾网获悉环球晶圆股份有限公司申请的专利碳化硅晶片的抛光方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388347B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111210832.2，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权碳化硅晶片的抛光方法是由蔡子萱;施英汝;杨咏皓;吴伟立设计研发完成，并于2021-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅晶片的抛光方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种碳化硅晶片的抛光方法，包括提供一碳化硅晶片，所述碳化硅晶片包括一碳面与一硅面。对所述碳面与所述硅面其中至少一者进行掺杂，以改变被掺杂面的氧化能力。在所述掺杂后对碳化硅晶片进行化学机械抛光，其中所述硅面的移除速率大于或等于所述碳面的移除速率。
本发明授权碳化硅晶片的抛光方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶片的抛光方法，其特征在于，包括： 提供碳化硅晶片，所述碳化硅晶片包括碳面与硅面； 对所述碳面与所述硅面其中至少一者进行掺杂，以在被掺杂面内形成掺杂层并且改变所述被掺杂面的氧化能力，所述掺杂的步骤包括：对所述硅面进行P型掺质的掺杂，以增加所述硅面的氧化速率；对所述碳面进行N型掺质的掺杂，以降低所述碳面的氧化速率；以及 在所述掺杂后对所述碳化硅晶片进行化学机械抛光，其中所述硅面的移除速率大于或等于所述碳面的移除速率。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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