南京大学;海安南京大学高新技术研究院郝玉峰获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学;海安南京大学高新技术研究院申请的专利一种MOCVD脉冲式生长硒化钨薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113808919B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111147436.X，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种MOCVD脉冲式生长硒化钨薄膜的制备方法是由郝玉峰;张建裕;刘孟杰设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOCVD脉冲式生长硒化钨薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MOCVD脉冲式变温熟化生长二维半导体硒化钨WSe2薄膜的制备方法，其包括以下步骤：清洗c面蓝宝石衬底；将清洗好的衬底放入MOCVD反应腔内，对衬底进行高温预处理，而后以六羰基钨WCO6和硒化氢H2Se为前驱体，通过MOCVD脉冲式变温熟化生长，在蓝宝石上沉积WSe2薄膜；将生长在蓝宝石上的WSe2薄膜进行退火处理后得到连续，大面积且结晶质量高的成品。薄膜退火是在200℃~400℃的氢气H2和氩气Ar混合气氛下保温2~3小时进行的，退火处理过程中升降温速率为40~60℃小时；优点是前驱体均采用气体源，避免了粉体的碳污染；首次采用高温熟化的脉冲生长方式，有效控制成核密度，抑制二层生长，促进WSe2外延生长。经过6‑8个循环后可得到连续、大面积、电学性能高、生长可控的WSe2薄膜，在微电子领域有重要的应用前景。
本发明授权一种MOCVD脉冲式生长硒化钨薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MOCVD脉冲式变温熟化生长二维半导体硒化钨WSe2薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤： 步骤一：清洗c面蓝宝石衬底； 步骤二：将清洗好的衬底放入MOCVD反应腔内，对衬底进行高温预处理，以六羰基钨WCO6和硒化氢H2Se为前驱体，通过MOCVD脉冲式变温熟化生长，在蓝宝石上沉积WSe2薄膜； 步骤三：将生长在蓝宝石上的WSe2薄膜进行退火处理后得到连续，大面积且结晶质量高的成品；退火是在200℃~400℃的氢气H2和氩气Ar混合气氛下保温2~3小时进行的，退火处理过程中升降温速率为40~60℃小时。
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