新唐科技股份有限公司陈柏安获国家专利权
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龙图腾网获悉新唐科技股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132838B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111119390.0，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体结构是由陈柏安设计研发完成，并于2021-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体结构，半导体结构包含：基板、通道层、阻障层、栅极电极、源极电极及漏极电极以及多个岛状结构，通道层设置于基板上。阻障层设置于通道层上，栅极电极设置于阻障层上，源极电极及漏极电极分别设置于栅极电极的相对侧，且分别与阻障层接触，多个岛状结构设置于栅极电极与漏极电极之间，且对应于多个岛状结构的在通道层的上表面上的二维电子气为不连续。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包含： 一基板； 一通道层，设置于所述基板上； 一阻障层，设置于所述通道层上； 一栅极电极，设置于所述阻障层上； 一源极电极及一漏极电极，分别设置于所述栅极电极的相对侧，且分别与所述阻障层接触；以及 多个岛状结构，设置于所述栅极电极与所述漏极电极之间，且对应于所述多个岛状结构的在所述通道层的上表面上的二维电子气为不连续， 其中，以俯视图观察，所述多个岛状结构包括沿着平行于所述栅极电极的延伸方向排列的多个列岛状部分，所述多个列岛状部分包括多个第一部分、多个第二部分及多个第三部分； 其中，所述多个第一部分最邻近于所述栅极电极；所述多个第三部分最远离所述栅极电极；且所述多个第一部分、所述多个第二部分及所述多个第三部分交错设置； 所述多个第一部分中的相邻第一部分之间的一第一间距小于或等于所述多个第二部分中的相邻第二部分之间的一第二间距；且所述第二间距小于或等于所述多个第三部分中的相邻第三部分之间的一第三间距；或者， 所述多个第一部分中的一第一部分与最邻近的所述多个第二部分中的一第二部分之间的距离小于或等于所述多个第二部分中的所述第二部分与最邻近的所述多个第三部分中的一第三部分之间的距离。
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